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支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法 

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申请/专利权人:湖南德智新材料有限公司

摘要:本申请涉及气相沉积技术领域,尤其涉及一种支撑机构、气相沉积设备以及气相沉积方法,以解决在气相沉积过程中,支撑结构与待沉积件全程在待沉积件的表面的同一区域接触,造成此区域不能被沉积薄膜的问题。该支撑机构的支撑台上设置有至少一组第一支撑柱和至少一组第二支撑柱,第二支撑柱设置于第一斜面滑块的第一斜面上的支撑座上,在第一斜面滑块沿往复滑动的过程中,支撑座可以沿竖直方向升高或者降低,使第二支撑平面高于或者低于第一支撑平面,通过第一支撑柱和第二支撑柱更替支撑待沉积件,使得第一支撑柱和第二支撑柱与待沉积件的接触区域均可以暴露在工艺气体中,从而可以一次性完成对待沉积件的所有表面的薄膜沉积,提高了薄膜沉积效果。

主权项:1.一种支撑机构,其特征在于,应用于气相沉积设备,所述气相沉积设备被配置为对待沉积件进行气相沉积,所述气相沉积设备包括腔体,所述腔体围成腔室,所述腔室用于容纳所述待沉积件,所述支撑机构被配置为支撑所述待沉积件,所述支撑机构包括:支撑台,设置于所述腔室;至少一组第一支撑柱,设置于所述支撑台上,至少一组所述第一支撑柱形成第一支撑平面;第一斜面滑块,设置于所述支撑台上,所述第一斜面滑块的远离所述支撑台的一侧具有第一斜面,所述第一斜面滑块被配置为沿水平直线往复滑动;支撑座,设置于所述第一斜面上,并与所述第一斜面滑动接触;至少一组第二支撑柱,设置于所述支撑座上,至少一组所述第二支撑柱形成第二支撑平面;其中,在所述第一斜面滑块沿所述水平直线往复滑动的过程中,所述支撑座沿竖直方向升高或者降低,从而使所述第二支撑平面高于或者低于所述第一支撑平面,其中,在所述第一支撑平面高于所述第二支撑平面的情况下,所述第一支撑柱支撑所述待沉积件,在所述第一支撑平面低于所述第二支撑平面的情况下,所述第二支撑柱支撑所述待沉积件。

全文数据:

权利要求:

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