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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：有助于无空隙自下而上的间隙填充的间隙中介电材料的原子层沉积ALD会涉及在ALD处理期间使反应抑制剂流动。在一些实施方案中，反应抑制剂在等离子增强ALDPEALD处理的等离子操作的至少一部分期间流动。
主权项：1.一种用于填充室中衬底的间隙的方法，所述方法包括：执行以下的一个或多个循环：a将所述衬底暴露于第一反应物；b在a之后，清除所述室中的所述第一反应物；c在b之后，将所述衬底暴露于共反应物等离子体以驱动所述第一反应物和所述共反应物之间的反应以在所述间隙中形成膜；以及d在c的至少一部分期间将所述衬底暴露于反应抑制剂。
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