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工艺气体补充供应装置及CVD设备 

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申请/专利权人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司;盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

摘要:本发明提供一种工艺气体补充供应装置及CVD设备,包括设置在工艺腔室的侧壁内的输气管道、出气管道和喷头,所述输气管道包括在所述侧壁内一周均匀设置的竖直的竖管;所述出气管道包括水平设置的环形管,在所述环形管的一周均匀连接有横管,所述横管朝向所述工艺腔室的内部,所述竖管的上部与所述环形管连通;所述喷头设置在所述横管的端部,所述喷头与所述侧壁的内表面平齐,所述喷头高于晶圆的上表面。采用本发明能够增加CVD工艺中晶圆边缘等离子体的密度,改善晶圆沉积均匀性。

主权项:1.一种工艺气体补充供应装置,其特征在于,包括设置在工艺腔室的侧壁内的输气管道、出气管道和喷头,其中,所述输气管道包括在所述侧壁内一周均匀设置的竖直的竖管;所述出气管道包括水平设置的环形管,在所述环形管的一周均匀连接有横管,所述横管朝向所述工艺腔室的内部,所述竖管的上部与所述环形管连通;所述喷头设置在所述横管的端部,所述喷头与所述侧壁的内表面平齐,所述喷头高于晶圆的上表面。

全文数据:

权利要求:

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