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一种插层-剥离勃姆石制备二维纳米片的方法 

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申请/专利权人:中国石油大学(华东)

摘要:本发明涉及一种插层‑剥离勃姆石制备二维纳米片的方法,具有大孔容高比表面积的二维勃姆石技术领域,提供了一种低成本合成兼具大孔容高比表面积的二维勃姆石纳米片的方法。本发明以无机小分子对勃姆石进行插层,并削弱层间作用力,从而剥离出二维勃姆石纳米片层。所得纳米片增加了勃姆石的比表面积,而纳米片组装形成的孔道提升了勃姆石的孔体积。本发明提供的制备方法具有合成成本低、操作简单、采用工业原料合成、不使用任何有机模板剂、适合工业化生产等优势;本发明制备的二维勃姆石纳米片孔容高达2.43cm3g,比表面积高达542.3m2g,由长度超过20nm厚度约为2nm的二维纳米片组装而成。孔结构远高于已报道和已工业应用的同类勃姆石或氧化铝材料。

主权项:1.一种插层-剥离勃姆石制备二维纳米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:1在75℃下将偏铝酸钠加入到酸性铝源中,酸性铝源的浓度以溶液中Al2O3含量计为5-30mgL;2中和反应0.5-3h后,将凝胶pH值调节为4-9;3将改性剂以6mLmin-12mLmin的速度加入到凝胶中,改性剂的浓度以氧化物计为10mgL-30mgL;4在1-6h内将合成体系的温度调节为20℃-65℃,之后在该温度下陈化1h,过滤洗涤得到兼具高比表面积和大孔容的二维勃姆石纳米片;所述酸性铝源为硫酸铝、硝酸铝或氯化铝中的一种;所述改性剂为含硅、含硼、含磷化合物中的一种;其中含硅化合物为硅酸钠、硅溶胶、四氯化硅中的一种;含硼化合物为硼酸铵、硼酸中的一种;含磷化合物为磷酸、焦磷酸、磷酸铵中的一种。

全文数据:

权利要求:

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