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申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要：本发明提供一种高钝化空穴选择性钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、碳硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。本发明提出一种创新的空穴选择性钝化接触结构，此结构可有效降低界面态密度，改善p型隧穿氧化硅钝化接触TOPCon结构钝化性能，同时适用于产业大规模生产，有助于提升p型TOPCon结构相关器件的性能。
主权项：1.一种高钝化空穴选择性钝化接触结构，其特征在于，包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、碳硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种高钝化空穴选择性钝化接触结构及其制备方法
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