龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开一种硅单晶的生产方法及其生产装置，属于硅单晶技术领域，包括：将初始原料放入坩埚组件中。通过加热器对坩埚组件进行加热，初始原料熔化形成硅熔体。控制导流筒的至少部分延伸至坩埚组件内，用于调节硅熔体表面的气体流速。通过磁场产生机构对硅熔体施加磁场，并在低于硅熔体液面的位置形成最大高斯面。通过晶体驱动机构从硅熔体提拉形成硅单晶。其中，磁场产生机构产生的磁场强度为BT，最大高斯面与硅熔体的液面之间具有最大尺寸hmm，导流筒沿坩埚组件的轴线方向延伸至坩埚组件内的最大尺寸为Hmm，满足：2≤HB×h≤2.572，从而可以有效降低硅单晶内部的氧含量，提高硅单晶质量，实现低氧硅单晶的生产。
主权项：1.一种硅单晶的生产方法，其特征在于，所述方法包括：将初始原料放入坩埚组件1中；通过加热器2对所述坩埚组件1进行加热，所述初始原料熔化形成硅熔体6；控制导流筒3的至少部分延伸至所述坩埚组件1内，用于调节所述硅熔体6表面的气体流速；通过磁场产生机构4对所述硅熔体6施加磁场，并在低于所述硅熔体6液面的位置形成最大高斯面40；通过晶体驱动机构5从所述硅熔体6提拉形成硅单晶7；其中，所述磁场产生机构4产生的磁场强度为BT，所述最大高斯面40与所述硅熔体6的液面之间具有最大尺寸hmm，所述导流筒3沿所述坩埚组件1的轴线方向X延伸至所述坩埚组件1内的最大尺寸为Hmm，满足：2≤HB×h≤2.572。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 硅单晶的生产方法及其生产装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号