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申请/专利权人:内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司
摘要:本申请公开一种硅单晶的生产方法及其生产装置,属于硅单晶技术领域,包括:将初始原料放入坩埚组件中。通过加热器对坩埚组件进行加热,初始原料熔化形成硅熔体。控制导流筒的至少部分延伸至坩埚组件内,用于调节硅熔体表面的气体流速。通过磁场产生机构对硅熔体施加磁场,并在低于硅熔体液面的位置形成最大高斯面。通过晶体驱动机构从硅熔体提拉形成硅单晶。其中,磁场产生机构产生的磁场强度为BT,最大高斯面与硅熔体的液面之间具有最大尺寸hmm,导流筒沿坩埚组件的轴线方向延伸至坩埚组件内的最大尺寸为Hmm,满足:2≤HB×h≤2.572,从而可以有效降低硅单晶内部的氧含量,提高硅单晶质量,实现低氧硅单晶的生产。
主权项:1.一种硅单晶的生产方法,其特征在于,所述方法包括:将初始原料放入坩埚组件1中;通过加热器2对所述坩埚组件1进行加热,所述初始原料熔化形成硅熔体6;控制导流筒3的至少部分延伸至所述坩埚组件1内,用于调节所述硅熔体6表面的气体流速;通过磁场产生机构4对所述硅熔体6施加磁场,并在低于所述硅熔体6液面的位置形成最大高斯面40;通过晶体驱动机构5从所述硅熔体6提拉形成硅单晶7;其中,所述磁场产生机构4产生的磁场强度为BT,所述最大高斯面40与所述硅熔体6的液面之间具有最大尺寸hmm,所述导流筒3沿所述坩埚组件1的轴线方向X延伸至所述坩埚组件1内的最大尺寸为Hmm,满足:2≤HB×h≤2.572。
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百度查询: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 硅单晶的生产方法及其生产装置
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