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申请/专利权人：日亚化学工业株式会社
摘要：本发明的目的在于，对于垂直共振腔面发射激光元件，实现电流限制区域中的高绝缘性、谋求更进一步的长寿命化。本发明的垂直共振腔面发射激光元件的制造方法包括：准备依次具有n侧半导体层、活性层及p侧半导体层的氮化物半导体层的工序；在上述p侧半导体层的表面的至少一部分形成掩模构件的工序；将形成有上述掩模构件的上述p侧半导体层与包含铝的构件或石英构件一起配置于氧气氛围中，对从上述掩模构件露出的上述p侧半导体层的表面实施反应性离子刻蚀的工序；将得到的上述p侧半导体层在氧气氛围中进行热处理的工序；在进行上述热处理的工序之后，将上述掩模构件去除的工序；以及遍及从实施了上述反应性离子刻蚀后的上述p侧半导体层的表面至去除了上述掩模构件后的上述p侧半导体层的表面而形成电极的工序。
主权项：1.一种垂直共振腔面发射激光元件的制造方法，该方法包括：准备依次具有n侧半导体层、活性层及p侧半导体层的氮化物半导体层的工序；在所述p侧半导体层的表面的至少一部分形成掩模构件的工序；将形成有所述掩模构件的所述p侧半导体层与包含铝的构件或石英构件一起配置于氧气氛围中，对从所述掩模构件露出的所述p侧半导体层的表面实施反应性离子刻蚀的工序；将得到的所述p侧半导体层在氧气氛围中进行热处理的工序；在进行所述热处理的工序之后，将所述掩模构件去除的工序；以及遍及从实施了所述反应性离子刻蚀后的所述p侧半导体层的表面至去除了所述掩模构件后的所述p侧半导体层的表面而形成电极的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日亚化学工业株式会社 垂直共振腔面发射激光元件的制造方法以及垂直共振腔面发射激光元件
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