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申请/专利权人：东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种提升刻蚀图形关键尺寸均匀性的方法、系统和计算机设备。本发明提供的一种提升芯片上刻蚀图形关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：获取芯片上的初始刻蚀图形，提取初始刻蚀图形所对应的光刻胶图形；提供刻蚀偏差表，通过刻蚀偏差表对光刻胶图形进行第一次补偿以获取目标图形；获取芯片上初始刻蚀图形的密度分布图并获取其对应的刻蚀偏差图；建立密度分布图和刻蚀偏差图的映射关系；基于映射关系对目标图形进行第二次补偿以获得优化图形；对优化图形进行刻蚀以获得最终刻蚀图形。解决了刻蚀过程中刻蚀图形关键尺寸均匀性差的问题。
主权项：1.一种提升芯片上刻蚀图形关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：包括以下步骤：获取芯片上的初始刻蚀图形，提取初始刻蚀图形所对应的光刻胶图形；提供刻蚀偏差表，通过刻蚀偏差表对光刻胶图形进行第一次补偿以获取目标图形；获取芯片上初始刻蚀图形的密度分布图并获取其对应的刻蚀偏差图；建立密度分布图和刻蚀偏差图的映射关系；基于映射关系对目标图形进行第二次补偿以获得优化图形；对优化图形进行刻蚀以获得最终刻蚀图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 一种提升刻蚀图形关键尺寸均匀性的方法、系统和计算机设备
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