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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：[问题]提供一种非易失性存储装置和非易失性存储系统，其能够抑制在导致发生多个存储单元的同时击穿时获得的电流提供量和变化中的至少一个。[解决方案]一种非易失性存储装置，包括：多个第一信号线；与多个第一信号线交叉的多个第二信号线；存储单元阵列，具有布置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点部分处的多个存储单元；以及多个开关元件，使多个第一信号线中的每一个的端部和电源进入连接状态或断开状态，其中，在存储单元的写入时，可以使多个开关元件中的两个或更多个开关元件同时进入连接状态。
主权项：1.一种非易失性存储装置，包括：存储单元阵列，包括多个第一信号线、与多个所述第一信号线交叉的多个第二信号线、以及设置在多个所述第一信号线与多个所述第二信号线之间的交叉部分处的多个存储单元；以及多个开关元件，使多个所述第一信号线的相应第一信号线的每个端部和电源进入连接状态和断开状态中的一个，其中，多个所述开关元件中的至少两个开关元件能够在写入所述存储单元时同时处于所述连接状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 非易失性存储装置和非易失性存储系统
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