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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本公开涉及半导体技术领域,提出一种静电保护结构、静电保护电路、芯片,该静电保护结构包括半导体衬底、第一N型阱、第一P型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部。半导体衬底包括第一集成区;第一N型阱位于第一集成区;第一P型阱位于第一集成区,且与第一N型阱相邻设置;第一N型掺杂部位于第一N型阱内;第一P型掺杂部位于第一N型阱内,且第一P型掺杂部位于第一N型掺杂部靠近第一P型阱的一侧;第二N型掺杂部位于第一P型阱内;第二P型掺杂部位于第二N型掺杂部远离第一N型阱的一侧;其中,第一N型掺杂部与第二P型掺杂部电连接。该静电保护结构具有较小的触发电压。
主权项:1.一种静电保护结构,其特征在于,包括:半导体衬底,包括第一集成区;第一N型阱,位于所述第一集成区;第一P型阱,位于所述第一集成区,且与所述第一N型阱相邻设置;第一N型掺杂部,位于所述第一N型阱内;第一P型掺杂部,位于所述第一N型阱内,且所述第一P型掺杂部位于所述第一N型掺杂部靠近所述第一P型阱的一侧;第二N型掺杂部,位于所述第一P型阱内;第二P型掺杂部,位于所述第一P型阱内,且位于所述第二N型掺杂部远离所述第一N型阱的一侧;其中,所述第一N型掺杂部与所述第二P型掺杂部电连接;所述半导体衬底还包括第二集成区,所述第一集成区和所述第二集成区间隔设置,所述静电保护结构还包括:第二N型阱,位于所述第二集成区;第二P型阱,位于所述第二集成区,且与所述第二N型阱相邻设置;第三N型掺杂部,位于所述第二N型阱内;第三P型掺杂部,位于所述第二N型阱内,且所述第三P型掺杂部位于所述第三N型掺杂部靠近所述第二P型阱的一侧;第四N型掺杂部,位于所述第二P型阱内;第四P型掺杂部,位于所述第二P型阱内,且位于所述第四N型掺杂部远离所述第二N型阱的一侧;其中,所述第三N型掺杂部与所述第四P型掺杂部电连接,所述第二N型掺杂部与所述第三P型掺杂部电连接;所述静电保护结构还包括:第三P型阱,位于所述第一集成区,且位于所述第一N型阱远离所述第一P型阱的一侧,所述第三P型阱与所述第一N型阱相邻设置;第五P型掺杂部,位于所述第一N型阱内,且所述第五P型掺杂部位于所述第一N型掺杂部远离所述第一P型掺杂部的一侧;第五N型掺杂部,位于所述第三P型阱内;第六P型掺杂部,位于所述第三P型阱内,且所述第六P型掺杂部位于所述第五N型掺杂部远离所述第一N型阱的一侧;其中,所述第一N型掺杂部与所述第六P型掺杂部电连接。
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