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SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池 

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申请/专利权人:上海交通大学

摘要:本发明公开了一种SnSe‑MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池。该材料化学式为SnSe1.15MS2,M为Ta和或Nb,所述SnSe‑MS2错层硫化物材料由多个MS2层和SnSe层堆叠而成,所述MS2层和所述SnSe层交替排列,每个MS2层由一个M原子层和两个S原子层交替排列而成。本发明制备的SnSe‑MS2错层硫化物材料有效缓解了SnSe在合金化过程中的体积膨胀和Sn‑Se键断裂,应用于钠离子电池中表现出优异的电化学性能。

主权项:1.一种SnSe-MS2错层硫化物材料,其特征在于,其化学式为SnSe1.15MS2,M为Ta和或Nb,所述SnSe-MS2错层硫化物材料由多个MS2层和SnSe层堆叠而成,所述MS2层和所述SnSe层交替排列,每个MS2层由一个M原子层和两个S原子层交替排列而成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海交通大学 SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池

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