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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种闪存器件的制作方法及闪存器件，其中方法包括：S1：提供一衬底，衬底表面形成有场氧层；S2：通过光刻和刻蚀工艺，在衬底表层形成第一沟槽；S3：在第一沟槽中形成浮栅材料层，浮栅材料层的顶部和衬底表面平齐；S4：依次在衬底表面形成极间介质层、控制栅材料层和硬掩膜层；S5：对硬掩膜层进行光刻和刻蚀工艺，定义出字线形成区域；S6：在字线形成区域中形成字线多晶硅，被字线多晶硅隔开的控制栅材料层构成控制栅，被字线多晶硅隔开的浮栅材料层构成沟槽型浮栅，沟槽型浮栅位于第一沟槽中；S7：进行后续工艺，形成存储单元。本申请通过上述方案，有助于减小存储单元的面积和整体高度。
主权项：1.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：S1：提供一衬底，所述衬底表面形成有场氧层；S2：通过光刻和刻蚀工艺，在所述衬底表层形成第一沟槽；S3：在所述第一沟槽中形成浮栅材料层，所述浮栅材料层的顶部和所述衬底表面平齐；S4：依次在所述衬底表面形成极间介质层、控制栅材料层和硬掩膜层；S5：对所述硬掩膜层进行光刻和刻蚀工艺，定义出字线形成区域；S6：在所述字线形成区域中形成字线多晶硅，被所述字线多晶硅隔开的所述控制栅材料层构成控制栅，被所述字线多晶硅隔开的所述浮栅材料层构成沟槽型浮栅，所述沟槽型浮栅位于所述第一沟槽中；S7：进行后续工艺，形成存储单元。
全文数据：
权利要求：
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