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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种嵌入式闪存器件的制作方法，包括：在衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极；在无掩膜的条件下向衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入，注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极两侧的衬底形成P型浅掺杂漏区；在衬底上制作图形掩膜层，图形掩膜层具有用于高压NMOS器件的掺杂漏注入的窗口并遮蔽衬底的其余区域；基于窗口向衬底进行高压NMOS器件的浅掺杂漏注入，以使第一栅极两侧衬底的P型浅掺杂漏区反型为N型浅掺杂漏区。本发明可以有效节省高压PMOS器件浅掺杂漏注入所需的掩膜版，可以有效降低制造成本，缩短生产周期，提高生产效率。
主权项：1.一种嵌入式闪存器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：提供衬底，在所述衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极；在无掩膜的条件下向所述衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入，所述注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极两侧的衬底形成P型浅掺杂漏区；在所述衬底上制作图形掩膜层，所述图形掩膜层具有用于高压NMOS器件的掺杂漏注入的窗口并遮蔽衬底的其余区域；基于所述窗口向所述衬底进行高压NMOS器件的浅掺杂漏注入，以使第一栅极两侧衬底的P型浅掺杂漏区反型为N型浅掺杂漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 嵌入式闪存器件的制作方法
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