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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明大功率激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域为纳米级SiO2绝缘层，代替了较厚的光刻胶绝缘层，从而降低电镀后大功率半导体激光器图形化的偏离度，改善纵向发散角；同时，此方法为全覆盖TiPtAu种子层，无需剥离去除非镀金区上的TiPtAu种子层，在非镀金区上生长纳米级SiO2绝缘层，保证了整个晶圆的导电性一致，镀层均匀性稳定在10％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。此方法也避免了碱性电镀液中光刻胶的溶解，避免了电镀液的污染和电镀镀层的污染，大大提高了镀层金属良率和电镀液的利用率。
主权项：1.一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用电子束蒸发工艺，在大功率半导体激光器晶圆表面蒸镀薄金种子层；S2：在步骤S1的中的薄金种子层上，采用PECVD沉积绝缘层；S3：对步骤S2处理后的晶圆表面旋涂一层光刻胶，曝光、显影后，光刻胶保留在非镀金区上，待镀金区上暴露绝缘层；S4：采用BOE腐蚀液，腐蚀去除步骤S3中待镀金区域上暴露的绝缘层；S5：对经过步骤S4处理的晶圆湿法去除非镀金区上的光刻胶，进入下一工序；S6：采用电镀工艺对经过步骤S5处理的晶圆表面进行电镀金，在待镀金区形成电镀厚金层，非镀金区裸露绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法
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