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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种深沟槽填充方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层形成深沟槽；采用ISSG工艺形成缓冲氧化层；利用至少包括氢气的混合气体等离子体对半导体结构进行等离子体处理；采用HARP工艺形成隔离材料层来填充深沟槽。本申请在填充深沟槽之前，先形成一缓冲氧化层，然后采用至少包括氢气的混合气体进行等离子体预处理，使得硬掩膜层表面产生大量的悬挂键H+，从而抑制后续隔离材料层的淀积速率，使得隔离材料层在深沟槽中缓冲氧化层表面的沉积速率大于在硬掩膜层表面的沉积速率，避免了硬掩膜层表面的隔离材料层因生长得太快导致深沟槽的深度变相增大的情况，从而提高深沟槽的填充能力，改善填充均匀性差的问题。
主权项：1.一种深沟槽填充方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述衬底以形成深沟槽；采用ISSG工艺形成缓冲氧化层，所述缓冲氧化层覆盖所述深沟槽的侧壁和底壁；利用混合气体等离子体对形成所述缓冲氧化层之后的半导体结构进行等离子体处理，其中，所述混合气体至少包括：氢气；以及采用HARP工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述硬掩膜层、所述缓冲氧化层以及填充所述深沟槽，其中，所述隔离材料层在所述硬掩膜层表面的沉积速率小于所述隔离材料层在所述缓冲氧化层表面的沉积速率。
全文数据：
权利要求：
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