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申请/专利权人：艾普凌科有限公司
摘要：提供一种基准电流电路，能够高精度地供给相对于温度变化稳定的基准电流，能够减少面积。基准电流电路100具有：电流镜电路110，其供给基于Iin的Iout；E型MOS130，其栅极130G与被供给Iout的漏极130D连接，源极130S接地；D型MOS140，其与E型MOS130栅极端子彼此连接，产生Vref；分压电路150，其输出Vref的分压电压Vdiv；以及D型MOS160，其供给与Vdiv对应的Iin。关于E型MOS130，D型MOS140的沟道的导电型以及杂质浓度相同，且栅极电极的费米能级与D型MOS140不同。分压电路150向D型MOS160的栅极端子输出比D型MOS160的阈值电压高且比交叉点X低的Vdiv。
主权项：1.一种基准电流电路，其特征在于，具有：电流镜电路，其由栅极端子彼此连接的MOS晶体管对形成，从另一个MOS晶体管供给基于输入到一个MOS晶体管的输入电流的输出电流；输出MOS晶体管，其供给与所述MOS晶体管对的所述栅极端子的电压对应的基准电流；增强型MOS晶体管，其栅极端子与被从所述电流镜电路供给所述输出电流的漏极端子连接，源极端子接地；第一耗尽型MOS晶体管，其与所述增强型MOS晶体管栅极端子彼此连接，产生基于所述增强型MOS晶体管的源极端子的电压与所述第一耗尽型MOS晶体管的源极端子的电压的差异的基准电压；分压电路，其与所述第一耗尽型MOS晶体管的源极端子连接，输出所述基准电压的分压电压；以及第二耗尽型MOS晶体管，其将与所述分压电压对应的电流作为所述输入电流供给到所述电流镜电路，关于所述增强型MOS晶体管，所述第一耗尽型MOS晶体管中的沟道的导电型和杂质浓度相同，且栅极电极的费米能级与所述第一耗尽型MOS晶体管不同，所述分压电路将比所述第二耗尽型MOS晶体管的阈值电压高且比所述第二耗尽型MOS晶体管的栅极电压-漏极电流特性不依赖于温度的交叉点低的电压范围的所述分压电压输出到所述第二耗尽型MOS晶体管的栅极端子。
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