买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要:本发明公开了一种金刚石‑氧化铝复合薄膜制备方法,包括采用MPCVD方法在硅基底表面沉积金刚石涂层后,再进行退火得到金刚石硅基底,将所述金刚石硅基底放入氢氟酸溶液进行刻蚀得到初始自支撑金刚石薄膜,将所述初始自支撑金刚石薄膜进行抛光至表面粗糙度<500nm,得到自支撑金刚石薄膜;采用磁控溅射方法,以氧化铝靶为溅射靶材,氩气为溅射气体,在所述自支撑金刚石薄膜表面沉积氧化铝得到金刚石‑氧化铝复合薄膜,其中,溅射功率为150–300W,沉积温度为400–800℃,沉积时间为10–30h。该方法简单、高效,且制备得到的金刚石‑氧化铝复合薄膜具有较高的抗击穿性能和较高的结合力。
主权项:1.一种金刚石-氧化铝复合薄膜制备方法,其特征在于,包括:(1)采用MPCVD方法在硅基底表面沉积金刚石涂层后,再进行退火得到金刚石硅基底,将所述金刚石硅基底放入氢氟酸溶液进行刻蚀得到初始自支撑金刚石薄膜,将所述初始自支撑金刚石薄膜进行抛光至表面粗糙度<500nm,得到自支撑金刚石薄膜;(2)采用磁控溅射方法,利用射频电源,以氧化铝靶为溅射靶材,氩气为溅射气体,在所述自支撑金刚石薄膜表面沉积氧化铝薄膜得到金刚石-氧化铝复合薄膜,其中,溅射功率为150–300W,沉积温度为400–800℃,沉积时间为10–30h;所述氧化铝薄膜厚度为1–4μm;所述退火的工艺条件为:退火温度为300–1000℃,退火速度为10–30℃h,退火时间为2–5h;所述磁控溅射的参数还包括:背底真空气压抽至1×10-4~5×10-3Pa。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 宁波杭州湾新材料研究院 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种金刚石-氧化铝复合薄膜及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。