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申请/专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
摘要：本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
主权项：1.一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，其特征在于，步骤如下：1）使用金属掩膜遮住衬底的一部分，采用电子束蒸发设备在洁净的基片表面沉积出铝膜；2）采用氧气氧化铝膜表面，得到氧化铝层作为势垒层；3）使用磁控溅射沉积一层铌膜包裹住铝膜表面的氧化层；保护势垒层在取下金属掩膜时不受空气影响；4）去掉金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后再次使用磁控溅射沉积一层160nm的铌膜；5）光刻或电子束曝光显影，在薄膜台阶处确定结区位置和大小，定义结区；6）反应离子刻蚀得到结区和上电极，将光刻胶未保护的铌膜完全刻掉，而铝膜和氧化层不受任何影响，去除样品的光刻胶得到样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 网络通信与安全紫金山实验室 一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法
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