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申请/专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
摘要：本发明公开一种铝金属栅极的制作方法，其包含提供一基底，一层间介电层覆盖基底，一沟槽位于层间介电层中，进行一沉积工艺以形成一铝金属层填入沟槽并且覆盖层间介电层，其中沉积工艺包含：在一第一温度开始沉积铝金属层，在沉积工艺的过程中，第一温度逐渐升温至一第二温度，第一温度小于第二温度，最后进行一平坦化工艺，移除在沟槽之外的铝金属层，以形成铝金属栅极。
主权项：1.一种铝金属栅极的制作方法，包含：提供基底，晶体管设置在该基底上，层间介电层覆盖该晶体管和该基底，其中该晶体管包含：虚置栅极、栅极介电层和两个源极漏极掺杂区，该栅极介电层介于该基底和该虚置栅极之间，该多个源极漏极掺杂区分别设置于该虚置栅极两侧的该基底中，该层间介电层的上表面和该虚置栅极的顶面切齐；移除该虚置栅极以形成沟槽；形成金属堆叠层填入该沟槽并且覆盖该层间介电层；在形成该金属堆叠层之后，进行沉积工艺以形成铝金属层填入该沟槽并且覆盖该层间介电层，其中该沉积工艺包含：在第一温度开始沉积铝金属层，在该沉积工艺的过程中，该第一温度逐渐升温至第二温度，其中该第一温度介于200℃至350℃，该第二温度介于350℃至450℃；以及进行平坦化工艺，移除在该沟槽之外的该金属堆叠层和该铝金属层，以形成该铝金属栅极，其中在该第一温度时，形成晶粒较小也较硬的该铝金属层于该铝金属栅极的下部；在该第二温度时，形成晶粒较大也较软的该铝金属层于该铝金属栅极的中心至靠近外围的范围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 铝金属栅极的制作方法
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