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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种双栅极VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞构成的VDMOS器件，其中两两VDMOS元胞之间的正面与正面、反面与反面相互排列；单个所述VDMOS元胞包括源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其中栅极划分横向栅极和纵向栅极；所述半导体外延层包括沉底层、扩散层以及靠近横向栅极的P阱层、N阱层和靠近纵向栅极的P阱层、N阱层；靠近所述横向栅极的P阱层包括轻掺杂P阱层一、重掺杂P阱层一、轻掺杂P阱层三、重掺杂P阱层二以及轻掺杂P阱层四。本发明通过在单个VDMOS元胞的内部设置两块栅极结构，并且这两块栅极结构相互垂直接欧姆接触，这样就可以实现在较低或较高栅极电压状态下其VDMOS器件都有平稳的电荷导通性能。
主权项：1.一种双栅极VDMOS器件，其特征在于，包括由若干个VDMOS元胞构成的VDMOS器件，其中两两VDMOS元胞之间的正面与正面、反面与反面相互排列；单个所述VDMOS元胞包括源极3、漏极5、栅极以及半导体外延层，其中栅极划分横向栅极1和纵向栅极2；所述半导体外延层包括沉底层6、扩散层7以及靠近横向栅极1的P阱层、N阱层和靠近纵向栅极2的P阱层、N阱层；其中，靠近所述横向栅极1的N阱层包括重掺杂N阱层一101、轻掺杂N阱层一102；靠近所述横向栅极1的P阱层包括轻掺杂P阱层一103、重掺杂P阱层一104、轻掺杂P阱层三105、重掺杂P阱层二106以及轻掺杂P阱层四107；其中，靠近所述纵向栅极2的N阱层包括重掺杂N阱层二201、轻掺杂N阱层二202；靠近所述纵向栅极2的P阱层包括轻掺杂P阱层二203、重掺杂P阱层二204、轻掺杂P阱层六205、重掺杂P阱层三206以及轻掺杂P阱层五207。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种双栅极VDMOS器件
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