龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种改善电场集中的SiCVDMOS器件制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在N+衬底层上依次形成N型缓冲层和N‑漂移层；S200，在N‑漂移层上利用光刻胶形成缓斜角区域，通过离子注入形成浅掺杂的P‑Well区；S300，在P‑Well区内离子注入依次形成侧部相互连接的N+区和P+区，并通过离子激活S400，在P‑Well区上通过干氧热氧化工艺形成栅氧化层，并在栅氧化层上淀积Poly层；S500，在Poly层的上面淀积介质层，隔离栅电极和源电极金属；S600，在P+区和N+区的顶面形成源极欧姆接触合金层；S700，金属溅射形成源极金属层；背面通过背面减薄工艺，溅射形成漏极金属层。本发明电场集中效应减小，器件的阻断性能得到优化，导致JFET电阻减小，增强了芯片过流能力。
主权项：1.一种改善电场集中的SiCVDMOS器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+衬底层（2）上依次形成N型缓冲层（3）和N-漂移层（4）；S200，在N-漂移层（4）上利用光刻胶（13）形成缓斜角区域，通过离子注入形成浅掺杂的P-Well区（5）；S300，在P-Well区（5）内离子注入依次形成侧部相互连接的N+区（8）和P+区（6），并通过离子激活S400，在P-Well区（5）上通过干氧热氧化工艺形成栅氧化层（9），并在栅氧化层（9）上淀积Poly层（10）；S500，在Poly层（10）的上面淀积介质层（11），隔离栅电极和源电极金属；S600，在P+区（6）和N+区（8）的顶面形成源极欧姆接触合金层（7）；S700，金属溅射形成源极金属层（12）；背面通过背面减薄工艺，溅射形成漏极金属层（1）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种改善电场集中的SiC VDMOS器件制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号