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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成均流层、掩蔽层、阱区以及源区；形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之后刻蚀漂移层，刻蚀漂移层采用湿式化学溶液刻蚀，刻蚀后进行干氧氧化形成栅介质层；淀积金属，形成栅极金属层；金属淀积，形成第一金属层和第二金属层，源极金属层包括第一金属层以及第二金属层，构建了掩蔽层，抑制在栅极拐角处存在的电场集中问题，构建了均流层，均流层横向包裹源极金属层和源区，能在器件未导通时将来自源极金属的电子从肖特基结出均流至器件横向所有区域。
主权项：1.一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；步骤2、通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成均流层；步骤3、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，通过向均流层离子注入形成掩蔽层；步骤4、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成阱区，所述阱区下侧面连接均流层；步骤5、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成源区；步骤6、形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之后刻蚀漂移层、阱区以及均流层，刻蚀漂移层、阱区以及均流层采用湿式化学溶液刻蚀，刻蚀后进行干氧氧化形成栅介质层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并对漂移层进行刻蚀，进行金属淀积，形成第一金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并蚀刻漂移层，淀积金属，形成第二金属层，源极金属层包括第一金属层以及第二金属层。
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权利要求：
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