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申请/专利权人：湖南大学
摘要：一种抑制SiC开关器件高频电磁干扰的缓冲电路及其参数优化方法，晶体管MOSFET的漏极接二极管D1的正极，二极管D1的负极接电阻Rsnb1的一脚、电容Csnb的一脚，电阻Rsnb1的另一脚接电阻Resr的一脚，电容Csnb的另一脚接电阻Rsnb2的一脚，电阻Rsnb2的另一脚接晶体管MOSFET的栅极、晶体管MOSFET的源极。其有益效果是：不仅具有良好的开关电压电流振荡抑制效果，且具备一定的关断电压过冲抑制效果；可以在不影响开通振荡抑制效果的前提下，可以控制关断电压过冲在一个理想的水平，具有更宽泛的应用价值。与此同时，所配套的缓冲器参数优化方法可以在不降低系统阶数的前提下，寻找更精准的缓冲器参数可行域，且实施简单易行，因此相较于传统缓冲器参数设计方法效率更高。
主权项：1.一种抑制SiC开关器件高频电磁干扰的缓冲电路，包括晶体管MOSFET，晶体管MOSFET的栅极接电阻Rp的一脚，晶体管MOSFET的源极接电阻Rp的另一脚、线圈Lloop的一脚，晶体管MOSFET的漏极接电容CJ的一脚、二极管D的正极，电容CJ的另一脚、二极管D的负极接电阻Resr的一脚，电阻Resr的另一脚接线圈Lloop的另一脚，其特征在于，晶体管MOSFET的漏极接二极管D1的正极，二极管D1的负极接电阻Rsnb1的一脚、电容Csnb的一脚，电阻Rsnb1的另一脚接电阻Resr的一脚，电容Csnb的另一脚接电阻Rsnb2的一脚，电阻Rsnb2的另一脚接晶体管MOSFET的栅极、晶体管MOSFET的源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 抑制SiC开关器件高频电磁干扰的缓冲电路及其参数优化方法
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