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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种具备更高通流能力的SiCVDMOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在SiCVDMOSFET器件中通过将常规条形状的沟道区设计布局成连续的凸台状，从而使器件内部的沟道区面积增加60%‑70%，使SiCVDMOSFET器件的通流能力相较于常规条形沟道区提高1.6倍‑1.7倍，这不仅提高了器件的功率密度，同时也降低了器件成本。
主权项：1.一种具备更高通流能力的SiCVDMOSFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiC衬底层（1）上外延生长一层SiC漂移层（2）；S200，在SiC漂移层（2）的顶面通过斜向N离子注入初步形成CSL层（3），作为器件的电流扩展区以降低器件导通电阻；S300，在CSL层（3）的顶面通过斜向Al离子注入初步形成P-well区（4）；S400，在P-well区（4）的顶面通过斜向N离子注入初步形成N+区（5）；S500，在P-well区（4）的顶面通过斜向Al离子注入初步形成P+区（6）；S600，通过高温激活退火使CSL层（3）、P-well区（4）、N+区（5）和P+区（6）激活完全形成；S700，在CSL层（3）的顶面通过通入氧气以干氧氧化方式生长一层栅氧化层（7）；S800，在栅氧化层（7）的顶面通过多晶硅淀积方式形成一层Poly层（8），作为器件的门电极；S900，在N+区（5）和Poly层（8）的顶面通过氧化物淀积方式形成一层隔离介质层（9），隔离器件的门电极和源电极，避免两者发生短接；S1000，在N+区（5）和P+区（6）的顶面通过Ni金属溅射后再通过快速热退火形成正面欧姆接触合金层（10）；S1100，在器件最上方通过AlCu金属溅射形成一层正面电极金属层（11），作为器件的源电极；S1200，在SiC衬底层（1）的底面通过Ni金属溅射后再通过激光热退火形成背面欧姆接触合金层（12）；S1300，在背面欧姆接触合金层（12）的底面通过TiNiAg金属蒸发方式形成一层背面电极金属层（13），作为器件的漏电极。
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权利要求：
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