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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种改善开关特性的SiC场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。在平面栅SiCMOSFET器件中，栅源电容Cgs的其中一个组成部分是栅电极‑隔离介质层‑源电极三者组成的Cgs，而此处的Cgs大小取决于隔离介质层厚度，栅电极与源电极的耦合面积。本发明采用独特的隔离介质层布局，将SiCMOSFET器件中栅电极与源电极的耦合面积大幅降低，从而降低了栅源电容Cgs，提高器件的开关特性，降低开关损耗。
主权项：1.一种改善开关特性的SiC场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上同质外延生长SiCDrift层（2）；S200，在SiCDrift层（2）上通过Al离子注入形成Pwell区（3）；S300，在SiCDrift层（2）上通过N离子注入形成NP区（4），NP区（4）与Pwell区（3）两者形成器件沟道；S400，在SiCDrift层（2）上通过Al离子注入形成PP区（5）；S500，在SiCDrift层（2）上通过N离子注入形成JFET区（6）；S600，在SiCDrift层（2）上通过高温离子激活使Pwell区（3）、NP区（4）、PP区（5）和JFET区（6）激活形成；S700，在栅氧退火炉中通过干氧氧化使SiCDrift层（2）上形成栅氧化层（7）；S800，在SiCDrift层（2）与栅氧化层（7）上淀积多晶硅Poly，形成所需的Poly层（8）；S900，在NP区（4）和Poly层（8）上通过淀积氧化物经致密化后形成隔离介质层（9）；S1000，在NP源电极接触区的SiCDrift层（2）上形成欧姆接触合金层（10）；S1100，在器件上方形成所需的正面电极金属层（11），作为器件的源电极使用；S1200，在器件底面依次形成背面欧姆接触合金层（12）和背面电极金属层（13）。
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