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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种平面栅SiCMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明将没有P+区的P‑body体区的尺寸缩小，从而使常规的条形沟道区变为台阶形沟道区，导致器件内部单位面积中作为通流路径的沟道区长度增加到1.6um左右，从而提高器件单位面积的通流能力，提高功率密度。
主权项：1.一种平面栅SiCMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiC衬底层（1）上外延生长一层SiC漂移层（2）；S200，在SiC漂移层（2）上通过Al离子注入形成P-body体区（3）；S300，在SiC漂移层（2）上通过N离子注入形成N+区（4）；S400，在SiC漂移层（2）上通过Al离子注入形成P+区（5）；S500，在SiC漂移层（2）上通过N离子注入形成CSL区（6）；S600，在SiC漂移层（2）上通过高温离子激活，使所有离子注入区完全形成；S700，SiC漂移层（2）在栅氧退火炉中进行干氧氧化形成栅氧化层（7），过程中通入NO退火；S800，在SiC漂移层（2）与栅氧化层（7）上通过淀积形成所需的Poly层（8）；S900，在N+区（4）和Poly层（8）上淀积形成隔离介质层（9），作为隔离器件源极处门电极和源电极的介质；S1000，在SiC漂移层（2）上溅射形成一层欧姆接触合金层（10）；S1100，在器件上通过TiAlCu金属溅射形成电极，之后通过图形光刻、刻蚀、去胶清洗后形成正面电极金属层（11）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种平面栅SiC MOSFET器件及制备方法
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