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申请/专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体器件领域，特别涉及一种SiCMOSFET器件结构，该SiCMOSFET器件结构包括衬底、漂移区、基区、沟槽填充物、栅氧化层和栅极。其中沟槽填充物沉积于由所述源区上表面至所述漂移区内部开设的沟槽底部，所述沟槽填充物掺杂有第二掺杂类型离子；在所述沟槽填充物上方沿所述沟槽内壁设置有栅氧化层，由所述沟槽填充物与所述漂移区的连接处延伸至所述栅氧化层底端拐角处形成至少一个离子区，所述离子区内为第二掺杂类型离子，包裹住所述沟槽底部，减轻了沟槽栅底部的电场集中，有效的保护了底部栅氧，提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种SiCMOSFET器件结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一掺杂类型，具有相对的第一表面和第二表面；漂移区，形成于所述衬底的第一表面，所述漂移区为第一掺杂类型；基区，形成于所述漂移区上方，所述基区为第二掺杂类型；源区，形成于所述基区上表面，所述源区为第一掺杂类型；由所述源区上表面至所述漂移区内部开设有一沟槽；沟槽填充物，所述沟槽填充物沉积在所述沟槽底部；所述沟槽填充物掺杂有第二掺杂类型离子；在所述沟槽填充物上方沿所述沟槽内壁设置有栅氧化层，由所述沟槽填充物与所述漂移区的连接处形成有延伸至所述栅氧化层底端拐角处的至少一个离子区，所述离子区包含第二掺杂类型离子；栅极，所述栅极设于所述沟槽内部且通过所述栅氧化层与所述沟槽填充物、漂移区、基区和源区相隔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门芯达茂微电子有限公司 一种SiC MOSFET器件结构
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