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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种降低栅极振荡的SiCMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET器件内部的栅极GatePad区通过淀积介质层以在内部串联一介质电阻层，从而提高器件内部的栅极电阻，但由于栅极电阻会增加器件的开关损耗，因此过大的栅极电阻也会影响器件使用。而本发明的介质电阻层可以通过调节厚度来改变电阻值，从而可根据实际设计需求来改变厚度，从而削弱振荡能量，避免器件发生误开启。
主权项：1.一种降低栅极振荡的SiCMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上外延生长一层SiCDrift层（2）；S200，在SiCDrift层（2）的顶面通过Al离子注入形成浅掺杂的P-body区（3）；S300，在P-body区（3）的顶面通过N离子注入形成重掺杂的NP区（4）；S400，在P-body区（3）的顶面通过Al离子注入形成与NP区（4）连接的重掺杂的PP区（5）；S500，在SiCDrift层的顶面淀积形成一层阻挡介质层（6），隔离栅极GateBias处的栅电极和SiCDrift层，避免此处存在使用风险；S600，在SiCDrift层（2）的顶面生长一层栅氧化层（7）；S700，在栅氧化层（7）的顶面淀积形成一层Poly层（8），作为器件的门电极；S800，在NP区（4）和Poly层（8）的顶面淀积形成一层隔离介质层（9），隔离器件源极处的门电极和源电极，避免两者短接；S900，在栅极GatePad区通过氧化物淀积方式在Poly层（8）的顶面形成一层介质电阻层（10），以提高器件的栅极电阻，降低栅极开关振荡；S1000，在NP区（4）和PP区（5）的顶面通过Ni金属溅射后再通过快速热退火形成欧姆接触合金层（11）；S1100，在器件最上方通过AlCu金属溅射形成一层栅极金属层（12）和源极金属层（13），其中栅极金属层（12）作为器件的门电极，源极金属层（13）作为器件的源电极。
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权利要求：
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