龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：宜兴杰芯半导体有限公司
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种低导通电阻的VDMOS结构，低导通电阻的VDMOS结构包括漏极、衬底、漂移区、基区、源区、接触区、栅极、栅氧层和源极，漂移区内设置有掺杂区，掺杂区的成分和源区的成分相同，掺杂区位于栅氧层的正下方，且和栅氧层紧密接触；位于栅极和掺杂区之间的栅氧层的厚度和掺杂区的掺杂杂质的浓度正相关。在VDMOS工作时，掺杂区的载流子能对沟道区的载流子进行补充，以降低沟道区和颈区的载流子浓度差，从而达到降低器件导通电阻的效果，且通过增加栅极和掺杂区之间的栅氧层的厚度，能够保证击穿电压保持不变，保证VDMOS应用时的安全性。
主权项：1.一种低导通电阻的VDMOS结构，其特征在于，所述低导通电阻的VDMOS结构包括漏极、衬底、漂移区、基区、源区、接触区、栅极、栅氧层和源极，所述漂移区内设置有掺杂区，所述掺杂区的成分和所述源区的成分相同，所述掺杂区位于所述栅氧层的正下方，且和所述栅氧层紧密接触；位于所述栅极和所述掺杂区之间的所述栅氧层的厚度和所述掺杂区的掺杂杂质的浓度正相关，位于所述栅极和所述掺杂区之间的所述栅氧层的厚度和所述掺杂区的体积正相关，以维持击穿电压保持不变；所述栅极和所述掺杂区的对应位置设置有拱起部，所述拱起部远离所述掺杂区的一侧拱起，所述栅极包括栅极板，所述栅极板的横截面形状具有弧形段和两个水平段，所述两个水平段对称设置在所述弧形段的两侧，所述拱起部设置在所述弧形段处，在栅极通电时，使得载流子主要集中在拱起部，进而使栅极上的电场产生的吸引力由原来的沿竖直方向的平行形式改变为扇形的形式，此时只有栅极上电场所产生的吸引力的沿竖直方向的分力才能对电子起到阻碍作用，从而有助于降低VDMOS的正向导通电阻，降低VDMOS正向导通时的能量损耗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜兴杰芯半导体有限公司 一种低导通电阻的VDMOS结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号