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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-10-15
公开（公告）号：CN118782641A
专利技术分类：......异质结晶体管[2006.01]
专利摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及低电容低电阻器件和制造方法。该结构包括：半导体衬底；具有有源区的器件；以及多孔半导体材料，其位于半导体衬底内并围绕器件的有源区。
专利权项：1.一种结构，包括：半导体衬底；器件，其包括有源区；以及多孔半导体材料，其位于所述半导体衬底内并围绕所述器件的所述有源区。
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 低电容低电阻器件
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