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带隙基准电压源 

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申请/专利权人:汇春科技(成都)有限公司

摘要:本发明实施例公开了一种带隙基准电压源,包括偏置电路、放大电路、基准电路及滤波电路,用于提升电源纹波抑制比以及带隙基准电压源输出端的稳定性,并输出低噪声的基准电压。其中,偏置电路包括分压电路和第一电流镜单元,分压电路用于对电源电压进行分压产生电流,第一电流镜单元向放大电路和基准电路提供偏置电流;放大电路用于向基准电路输入放大后的偏置电流;基准电路包括第二电流镜单元、第一支路、第二支路和第三支路,第二电流镜单元用于将第一支路中的负温度系数电流和第二支路中的正温度系数电流复制给第三支路,以通过第三支路输出基准电压;滤波电路用于过滤基准电压中的噪声。

主权项:1.一种带隙基准电压源,其特征在于,包括偏置电路、放大电路、基准电路及滤波电路;所述偏置电路、所述放大电路、所述基准电路以及所述滤波电路分别与电源的输入端连接;所述偏置电路包括分压电路和第一电流镜单元,所述分压电路用于对电源电压进行分压产生电流,所述第一电流镜单元将所述电流复制给所述放大电路和所述基准电路,以向所述放大电路和所述基准电路提供偏置电流;所述放大电路用于放大所述偏置电流,并向所述基准电路输入放大后的偏置电流;其中,所述放大电路包括第二PMOS管组、NMOS管组以及第一电容;所述第二PMOS管组的源极连接电源的输入端,所述第二PMOS管组的漏极连接所述NMOS管组;所述NMOS管组的漏极连接所述第一电容;所述第二PMOS管组包括第八至第十六PMOS管;第八PMOS管、第十PMOS管和第十六PMOS管的源极分别接入电源电压,所述第八PMOS管、所述第十PMOS管和所述第十六PMOS管的栅极依次连接;所述第八PMOS管的漏极连接第九PMOS管的源极,所述第九PMOS管的栅极分别连接第十一PMOS管的栅极,所述第九PMOS管的漏极连接所述NMOS管组;所述第十一PMOS管的漏极分别连接所述NMOS管组和第十二PMOS管的栅极;所述第十二PMOS管的漏极连接所述NMOS管组;所述第八PMOS管、第十PMOS管和所述第十六PMOS管的栅极分别连接所述偏置电路;所述第十六PMOS管的漏极连接第十五PMOS管的源极,所述第十五PMOS管的漏极分别连接第十三PMOS管的源极和第十四PMOS管的源极;所述第十三PMOS管的栅极与所述第十四PMOS管的栅极分别连接所述基准电路,所述第十三PMOS管的漏极和所述第十四PMOS管的漏极分别连接所述NMOS管组;所述第九PMOS管的栅极、所述第十一PMOS管的栅极和所述第十五PMOS管的栅极分别连接所述偏置电路;所述NMOS管组包括第三至第七NMOS管;第三NMOS管的漏极连接所述PMOS管组,所述第三NMOS管的源极连接第五NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极连接第六NMOS管的栅极,所述第五NMOS管的源极接地;所述第六NMOS管的漏极连接第四NMOS管的源极,所述第六NMOS管的源极接地;所述第四NMOS管的漏极连接所述PMOS管组,所述第四NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的栅极;所述第四NMOS管的源极和所述第六NMOS管的漏极分别连接所述第一电容的同一端;所述第七NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管组,所述第七NMOS管的栅极连接所述偏置电路,所述第七NMOS管的源极接地;所述基准电路包括第二电流镜单元、第一支路、第二支路和第三支路,所述第二电流镜单元用于将所述第一支路中的负温度系数电流和所述第二支路中的正温度系数电流复制给所述第三支路,以通过所述第三支路输出基准电压;其中,所述第二支路包括第一电阻,所述第一电阻用于通过第一支路中开关管的电压差值,输出正温度系数电流;通过所述放大电路对所述第一支路中开关管的集电极电压和所述第一电阻的端电压的钳制,使得所述第一支路输出负温度系数电流;所述第三支路包括第二电阻,所述第二电阻用于通过所述第二电流镜单元和所述第二电阻的温度系数的变化,调整所述负温度系数电流和所述正温度系数电流的电压,输出基准电压;其中,所述第一支路包括第一开关管和第二开关管,所述第二支路还包括第三开关管和第四开关管,所述第三支路还包括第五开关管;所述第一开关管的发射极分别连接所述放大电路和所述第二电流镜单元,所述第一开关管的基极连接所述第二开关管的发射极;所述第二开关管的基极和集电极分别接地;所述第一电阻的一端分别连接所述放大电路和所述第二电流镜单元,所述第一电阻的另一端连接所述第三开关管的发射极,所述第一电阻用于通过所述第一开关管和所述第二开关管的电压差值,输出正温度系数电流;所述第三开关管的基极连接第四开关管的发射极,所述第三开关管的集电极接地;所述第一开关管的集电极连接所述第四开关管的基极,用于通过所述放大电路对所述第一开关管的集电极电压和所述第一电阻的端电压的钳制,输出负温度系数电流;所述第二电阻的一端连接所述第二电流镜单元,所述第二电阻的另一端连接所述第五开关管的发射极;所述第五开关管的基极和集电极分别接地;所述第二电流镜单元包括采用共源共栅结构连接的第十七至第二十二PMOS管;第十七PMOS管的栅极分别连接所述放大电路、第十八PMOS管的栅极和第二十一PMOS管的栅极,所述第十七PMOS管的漏极连接第十九PMOS管的源极;所述第十九PMOS管的栅极分别连接第二十PMOS管和第二十一PMOS管的栅极;所述第二十PMOS管的源极连接所述第十八PMOS管的漏极,所述第二十PMOS管的漏极连接所述第二支路;所述第二十二PMOS管的源极连接所述第二十一PMOS管的漏极,所述第二十二PMOS管的漏极连接所述滤波电路;所述滤波电路用于过滤所述基准电压中的噪声。

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