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申请/专利权人：北京君正集成电路股份有限公司

摘要：本发明提供一种支持deadbattery或nobattery条件下sink的Type‑c端口DRP的控制电路，包括：在一个USB2.0移动设备端上集成了Type‑cCC逻辑控制模块的微处理器和USBType‑c插口座，对插口座上的CC1和CC2管脚进行设计，分别连接了下拉电阻5.1KR1和R2，当USB移动设备没电时，这个信号为0V电平，当USB移动设备开机后，由USB移动设备的处理器控制信号变为3.3V；当耗尽型的P沟道JFETQ1的gate端3脚到source端2脚电压为0时，耗尽型的P沟道JFET的drain端1脚到source端2脚导通，实现USB移动设备在deadbattery下sink的功能；当USB移动设备上电开机后，USB移动设备的处理器能够输出控制信号为高3.3V断开CC1和CC2上的下拉电阻到GND的通路，从而不影响USB移动设备变为DFP或做DRP接口时对CC1和CC2的状态控制。

主权项：1.一种支持deadbattery或nobattery条件下sink的Type-c端口DRP的控制电路，其特征在于，所述电路包括：在一个USB2.0移动设备端上集成了Type-cCC逻辑控制模块的微处理器和USBType-c插口座，对插口座上的CC1和CC2管脚进行设计，分别连接了下拉电阻5.1KR1和5.1KR2，也就是CC1串联R1后再连接到一个耗尽型的P沟道JFETQ1的drain端1脚，CC2串联R2后同样连接到这个耗尽型P沟道JFETQ1的drain端1脚，而Q1的source端2脚连接GND，Q1的gate端3脚则受控于USB移动设备的处理器输出的一个3.3V电平标准的控制信号，当USB移动设备没电时，这个信号为0V电平，当USB移动设备开机后，由USB移动设备的处理器控制信号变为3.3V；根据耗尽型的P沟道JFET的导通特性，当耗尽型的P沟道JFETQ1的gate端3脚到source端2脚电压为0时，耗尽型的P沟道JFET的drain端1脚到source端2脚导通，也就是当USB移动设备没有电时，控制信号一直默认为0，CC1和CC2管脚分别通过5.1K的下拉电阻R1和R2到GND，实现USB移动设备在deadbattery下sink的功能；当耗尽型的P沟道JFETQ1的gate端3脚到source端2脚电压为正电压时即大于VGSoff条件电压，耗尽型的P沟道JFET的drain端1脚到source端2脚不导通；当USB移动设备上电开机后，USB移动设备的处理器能够输出控制信号为高3.3V断开CC1和CC2上的下拉电阻到GND的通路，从而不影响USB移动设备变为DFP或做DRP接口时对CC1和CC2的状态控制。

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