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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种在Si衬底上实现高质量N极性III族氮化物厚膜的生长方法，首先在Si衬底上使用分子束外延MBE生长N极性AlScN缓冲层，然后在避免表层形成含氧层的情况下，使用物理气相沉积PVD在AlScN缓冲层上生长N极性III族氮化物加厚层。该方法充分利用了MBE与PVD生长各自的特点，MBE可以生长出较好质量的N极性缓冲层，给后续生长的N极性加厚层提供晶格取向与极性取向，同时利用PVD的应力调制能力将III族氮化物材料进行加厚从而达到需要的厚度要求，获得高质量的不开裂的N极性的III族氮化物厚膜。
主权项：1.一种在Si衬底上实现高质量N极性III族氮化物厚膜的生长方法，包括以下步骤：1在Si衬底上使用分子束外延生长N极性AlScN缓冲层；2在避免表层形成含氧层的情况下，使用物理气相沉积在AlScN缓冲层上生长N极性III族氮化物加厚层。
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权利要求：
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 在Si衬底上实现高质量N极性III族氮化物厚膜的生长方法
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