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申请/专利权人：杭州泽达半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种掩埋异质结边发射激光器制备方法。本发明采用多次选择性湿法刻蚀与多次干法刻蚀有机结合的方式进行掩埋异质结结构的刻蚀，并采用以HI作为刻蚀气体，以SiCl4作为保护气体的化学刻蚀占主导作用的ICP干法刻蚀工艺，避免引入Ar、N2等轰击作用较强的粒子，极大程度上降低了刻蚀表面粗糙度和表面损伤，规避了ICP技术的掩膜侧蚀效应；本发明方案可实现掩埋异质结结构侧面垂直度及横纵向尺寸的精确控制，同时可获得平整光滑无损伤的侧壁及底部形貌，AFM测试粗糙度显示刻蚀表面接近于一次外延表面，基于该表面形貌进行电流限制结构的再生长，包覆性和平整度较好，提高了激光器的性能稳定性和一致性。
主权项：1.一种掩埋异质结边发射激光器制备方法，包括对外延片进行刻蚀以形成掩埋异质结结构的步骤，以及在所述掩埋异质结结构两侧生长形成电流限制结构的步骤；所述外延片包括自下而上的衬底层、N型InP层、有源层、下P型InP层、P型InGaAs层、上P型InP层、刻蚀掩膜；其特征在于，使用以下工艺对外延片进行刻蚀以形成掩埋异质结结构：S1、第一次干法刻蚀：使用以HI作为刻蚀气体，以SiCl4作为保护气体的ICP刻蚀工艺将外延片刻蚀至下P型InP层，并保证有源层不暴露；S2、第一次湿法刻蚀：使用选择性刻蚀溶液仅对P型InGaAs层进行湿法刻蚀，使得P型InGaAs层侧向内缩；S3、第二次湿法刻蚀：使用选择性刻蚀溶液仅对下P型InP层和上P型InP层进行湿法刻蚀，使得下P型InP层和上P型InP层侧向内缩至与P型InGaAs层的边缘重叠；S4、第二次干法刻蚀：使用以HI作为刻蚀气体，以SiCl4作为保护气体的ICP刻蚀工艺将有源层暴露出的部分刻蚀掉，使得有源层侧向内缩至与下P型InP层、P型InGaAs层、上P型InP层的边缘重叠；S5、第三次湿法刻蚀：使用选择性刻蚀溶液仅对N型InP层进行湿法刻蚀，使得N型InP层侧向内缩至与有源层、下P型InP层、P型InGaAs层、上P型InP层的边缘重叠。
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