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申请/专利权人：山西浙大新材料与化工研究院;中国科学院半导体研究所

摘要：本发明提供一种紫外激光器及其制备方法，紫外激光器包括从下至上依次层叠设置的N电极层、衬底、下限制层、下波导层、空穴阻挡层、多量子阱层、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层以及P电极层；本发明通过设置Al组分梯度渐变的空穴阻挡层，能够减少空穴泄露到n侧；通过设置Al组分梯度渐变的电子阻挡层，优化电子阻挡层的有效势垒高度，不仅能够减少电子泄漏到p侧，还能使空穴更容易经过电子阻挡层注入有源区，提高了空穴的注入，从而可以提高紫外激光器的输出功率以及获得更低的阈值电流。此外，由于渐变组分使得折射率发生变化，能够使光场偏离p侧，从而提升了紫外激光器的光电性能。

主权项：1.一种紫外激光器，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的：N电极层、衬底、下限制层、下波导层、空穴阻挡层、多量子阱层、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层以及P电极层；其中，所述空穴阻挡层包括从下至上依次层叠设置的：第一空穴阻挡子层、第二空穴阻挡子层、第三空穴阻挡子层以及第四空穴阻挡子层；所述第一空穴阻挡子层的材料为AlaGa1-aN；所述第二空穴阻挡子层的材料为Alx1Ga1-x1N，在所述第二空穴阻挡子层中，从下至上Alx1Ga1-x1N材料的x1从a逐渐降低到b，0ba1；所述第三空穴阻挡子层的材料为AlbGa1-bN；所述第四空穴阻挡子层的材料为Alx2Ga1-x2N，在所述第四空穴阻挡子层中，从下至上Alx2Ga1-x2N材料的x2从b逐渐降低到c，0cb；所述电子阻挡层包括从下至上依次层叠设置的：第一电子阻挡子层、第二电子阻挡子层、第三电子阻挡子层以及第四电子阻挡子层；所述第一电子阻挡子层的材料为Alx3Ga1-x3N，在所述第一电子阻挡子层中，从下至上Alx3Ga1-x3N材料的x3从d逐渐增加到e，0de1；所述第二电子阻挡子层的材料为AleGa1-eN；所述第三电子阻挡子层的材料为Alx4Ga1-x4N，在所述第三电子阻挡子层中，从下至上Alx4Ga1-x4N材料的x4从e逐渐增加到f，ef1；所述第四电子阻挡子层的材料为AlfGa1-fN。

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