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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明提供了一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一待刻蚀对象，所述待刻蚀对象包括：基底、覆盖在所述基底表面的底部抗反射涂层以及设置在部分所述底部抗反射涂层表面的图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，在预设气体源下产生等离子体，对所述底部抗反射涂层进行等离子体刻蚀，去除所述基底表面未被所述光刻胶层覆盖的所述底部抗反射涂层；其中，在等离子体对所述底部抗反射涂层的刻蚀过程中，所述气体源形成的等离子体能够在所述光刻胶层表面形成聚合物保护层，且能够刻蚀去除所述底部抗反射涂层未被所述光刻胶层覆盖的部分。应用本发明实施例提供的刻蚀方法，提高了底部抗反射涂层与光刻胶层的选择比。
主权项：1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：提供一待刻蚀对象，所述待刻蚀对象包括：基底、覆盖在所述基底表面的底部抗反射涂层以及设置在部分所述底部抗反射涂层表面的图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，在预设气体源下产生等离子体，对所述底部抗反射涂层进行等离子体刻蚀，去除所述基底表面未被所述光刻胶层覆盖的所述底部抗反射涂层，直至暴露出所述基底的顶部表面；其中，等离子体刻蚀过程包括多个周期，每个周期包括3个时段；同一周期中，在第一个时段，为反应器提供用于在所述光刻胶层表面形成聚合物保护层离子的第一种气体，在第二时段，为所述反应器提供用于形成对所述底部抗反射涂层进行刻蚀的离子的第二种气体，在第三时段，为所述反应器提供用于提高等离子体刻蚀速度的第三种气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 刻蚀方法
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