龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广西飓芯科技有限责任公司
摘要：本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N2、H2混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层；使用较高的反应腔室气压来生长接触层；在较高温度和较低In源流量的条件下生长接触层。本发明提高了接触界面的空穴浓度，使得接触电极与半导体界面的肖特基势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性更广泛的特点，从而更具有使用价值。
主权项：1.一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法，其特征在于，在p型III-V族半导体材料上采用MOCVD工艺生长重掺杂接触层，然后在重掺杂接触层上制备接触电极；所述采用MOCVD工艺生长重掺杂接触层，使用的载气是N2、H2的混合载气，所述混合载气中H2的体积分数是40％～60％；所述采用MOCVD工艺生长重掺杂接触层，在接触层中掺入少量In以降低比接触电阻率和降低H杂质含量，In源流量在200～600mLmin，接触层的生长温度在900～960℃，接触层的生长速率为5～15nmmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西飓芯科技有限责任公司 一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号