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申请/专利权人：日本碍子株式会社
摘要：本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，能够抑制在该基板上形成的元件的特性偏差。本发明的实施方式的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面的面内的电阻率的最小值为1×107cmΩ以上，该第一面的面内的电阻率的最小值为该第一面的面内的电阻率的最大值的0.01倍以上。
主权项：1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于，该第一面的面内的电阻率的最小值为1×107Ω·cm以上，该第一面的面内的电阻率的最小值为该第一面的面内的电阻率的最大值的0.01倍以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日本碍子株式会社 III族元素氮化物半导体基板、外延基板以及功能元件
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