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申请/专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
摘要：本发明提供一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法，包括：掺镓单晶拉制过程中进行磷元素的掺杂，采用含有磷元素的掺杂气体进行掺杂，且在掺杂过程中长晶设备内为负压环境，使得掺杂气体自动进入长晶设备内；获取单晶的拉制长度，并将获取的单晶长度与标准长度值进行对比，若获取的单晶长度达到标准长度值，则向长晶设备内通入掺杂气体。本发明的有益效果是单晶轴向电阻率可受控，改变镓在单晶中分凝效果，掺杂剂磷化氢易获取，掺杂简单，掺杂时间及掺杂位置范围宽，棒长增加情况下，单晶轴向电阻率表现优于纯掺镓单晶轴向电阻率分布。
主权项：1.一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法，其特征在于：包括：掺镓单晶拉制过程中进行磷元素的掺杂，采用含有磷元素的掺杂气体进行掺杂，且在掺杂过程中长晶设备内为负压环境，长晶设备内的压力小于掺杂气体的储存装置内的压力，使得所述掺杂气体自动进入所述长晶设备内；获取单晶的拉制长度，并将获取的单晶长度与标准长度值进行对比，若获取的单晶长度达到所述标准长度值，则向长晶设备内通入所述掺杂气体；单晶的所述标准长度值为单晶长度的13-1；所述掺杂气体在通入过程中，根据单晶的电阻率目标值控制所述掺杂气体流量的变化，控制单晶电阻率分布；所述根据单晶的电阻率目标值控制所述掺杂气体流量的变化，包括：单晶长度每增加一个长度变化量，所述掺杂气体的流量增加一个流量变化量，控制单晶的电阻率分布；所述长度变化量为500-1500mm；所述流量变化量为0.001-0.005Lmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 内蒙古中环晶体材料有限公司 一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法
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