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申请/专利权人：深圳市盛邦半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种抗辐射加固肖特基二极管及其制作方法，该抗辐射加固肖特基二极管包括：含有阱区、外延层以及至少一个反型区的基础结构；反型区分别与外延层以及基础结构的阳极金属层接触；反型区设置于阱区和阳极金属层之间，且处于阱区的顶部。由于本发明在阱区与阳极金属层之间设置有反型区，且反型区分别与外延层和阳极金属层接触，通过阱区内部的反型区提供肖特基接触区域，用阱区保护肖特基接触区域，降低了器件的单粒子效应的敏感程度，提升了使用寿命。
主权项：1.一种抗辐射加固肖特基二极管，其特征在于，所述抗辐射加固肖特基二极管包括：含有阱区、外延层以及至少一个反型区的基础结构；所述反型区分别与所述外延层以及所述基础结构的阳极金属层接触；所述反型区设置于所述阱区和所述阳极金属层之间，且处于所述阱区的顶部；所述抗辐射加固肖特基二极管还包括：场氧化层；所述场氧化层设置于所述外延层和所述阳极金属层之间，且处于所述阳极金属层底部，所述场氧化层包括终端场氧化层以及有源区场氧化层，所述终端场氧化层设置于所述外延层顶部两侧的终端的顶部，所述有源区场氧化层覆盖所述阱区之间的外延层与所述阳极金属之间的区域，且所述场氧化层厚度为200nm以上。
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权利要求：
百度查询： 深圳市盛邦半导体有限公司 抗辐射加固肖特基二极管及其制作方法
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