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申请/专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种AlGaN基二极管的制备方法，包括：1提供GaN单晶衬底；2在GaN单晶衬底的Ga面上生长N型GaN层；3在N型GaN上生长N型重掺杂AlGaN层；4在N型重掺杂AlGaN层上生长单晶AlGaN耐压层；5将N型GaN层和N型重掺杂AlGaN层剥离。本发明的AlGaN基二极管结构简单，制备工艺流程简单，可有效提高生产效率，降低AlGaN基垂直二极管的生产成本。本发明将单晶GaN衬底采用离子刀剥离的方式去除，可以有效减少界面晶格失配导致的大界面缺陷密度和大漏电流，同时，通过离子刀剥离的方式可有效提高单晶衬底GaN的重复利用次数。
主权项：1.一种AlGaN基二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1提供GaN单晶衬底；2在所述GaN单晶衬底上生长N型GaN层；3在N型GaN上生长N型重掺杂AlGaN层；4在所述N型重掺杂AlGaN层上生长单晶AlGaN耐压层；5将所述N型GaN层和所述N型重掺杂AlGaN层剥离。
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