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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型实施例的各种实施例涉及一种集成芯片，其包含一个栅极层。绝缘体层在栅极层上方。沟道结构在绝缘体层上方。一对源极漏极在沟道结构上方，且横向地被介电层隔开。沟道结构包含绝缘体层和一对源极漏极之间的第一沟道层、绝缘体层和介电层之间的第二沟道层以及第二沟道层和介电层之间的第三沟道层。第一沟道层、第二沟道层以及第三沟道层包含不同的半导体。
主权项：1.一种集成芯片，其特征在于，包括：栅极层；绝缘体层，在所述栅极层上方；沟道结构，在所述绝缘体层上方；以及一对源极漏极，在所述沟道结构上方，且横向地由介电层隔开，其中所述沟道结构包含在所述绝缘体层和所述一对源极漏极之间的第一沟道层、在所述绝缘体层和所述介电层之间的第二沟道层以及在所述第二沟道层和所述介电层之间的第三沟道层，其中所述第一沟道层、所述第二沟道层以及所述第三沟道层包含不同的半导体。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片
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