买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司

摘要：本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。

主权项：1.一种功率半导体器件，其具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的漂移区并且被配置成在功率半导体器件的导通状态期间传导负载电流以及在功率半导体器件的阻断状态期间阻断负载电流，其中所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元包括：-包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区，其中所述第一台面在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上展现小于100nm的总延伸；-包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；-沟槽结构，其包括被配置成控制负载电流的控制电极结构；-其中，第一单元部分被配置成在导通状态中使第一沟道区完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子，-其中，第一单元部分被配置成在导通状态中在第一沟道区中诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，并且在阻断状态中不诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，-第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下并且沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠。

全文数据：具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT技术领域本说明书涉及功率半导体器件的实施例，并且涉及处理功率半导体器件的方法的实施例。特别地，本说明书涉及具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT的实施例，并且涉及对应处理方法的实施例。背景技术汽车、消费者和工业应用中的现代设备的许多功能，诸如转换电能以及驱动电动机或电机，依赖于半导体器件。例如，仅举几例，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及二极管，已经用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。总体目标是使半导体器件中发生的损耗保持为低，其中所述损耗基本上是由导通损耗和或开关损耗引起的。例如，功率半导体器件包括多个MOS控制头，其中每个控制头可以具有至少一个控制电极以及与其相邻布置的源极区和沟道区。为了将功率半导体器件设置为导通状态，在所述导通状态期间可以传导正向方向上的负载电流，控制电极可以设有具有在第一范围内的电压的控制信号以便在沟道区内诱导负载电流路径。为了将功率半导体器件设置成阻断状态，在所述阻断状态期间可以阻断施加到半导体器件的负载端子的正向电压并且禁止正向方向上的负载电流的流动，控制电极可以设有具有在与第一范围不同的第二范围内的电压的控制信号以便使沟道区中的负载电流路径截止。然后，正向电压可以在由功率半导体器件的沟道区和漂移区之间的过渡形成的结处诱导耗尽区，其中耗尽区也被称为“空间电荷区”，并且可以主要扩展到半导体器件的漂移区中。在该上下文中，沟道区常常也被称为“体区”，在其中可以由控制信号诱导所述负载电流路径（例如反型沟道）以将半导体器件设置在导通状态中。在没有沟道区中的负载电流路径的情况下，沟道区可以与漂移区形成阻断结。为了保持功率半导体器件的损耗为低的，可能需要以适当的方式来控制功率半导体器件的半导体主体内的电荷载流子密度。此外，尽管高开关速度可以产生低损耗，但是一些应用可能要求功率半导体器件内的负载电流和或电压随时间的变化率，诸如在接通或关断操作期间的电压的变化率（也称为“dUdt”，或者相应地“dVdt”），不超过预定的最大值。因此，可能合意的是提供一种功率半导体器件，其提供低导通损耗和低开关损耗以及在那时的容易的可控性以便确保在接通或关断操作期间电压的变化率不超过预定的最大值。发明内容根据实施例，一种功率半导体器件，具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的漂移区并且被配置成在功率半导体器件的导通状态期间传导负载电流以及在功率半导体器件的阻断状态期间阻断负载电流，其中所述功率半导体器件包括多个单元。每个单元包括：包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区，其中所述第一台面在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上展现小于100nm的总延伸；包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；沟槽结构，其包括用于控制负载电流的控制电极结构；其中第一单元部分被配置成在导通状态中使第一沟道区完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子；并且其中，第一单元部分被配置成在导通状态中在第一沟道区中诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，并且在阻断状态中不诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径；以及第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下并且沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠。根据另一实施例，一种功率半导体器件，具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成传导负载电流并且包括第一导电类型的漂移区，其中所述功率半导体器件包括多个单元。每个单元包括：包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区；包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；沟槽结构，其包括用于至少借助于第一沟道区中的用于第一导电类型的移动电荷载流子的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构；被布置在第二沟道区以下的第二导电类型的引导区域，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；被布置在引导区域和沟槽结构之间的第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。根据又另一实施例，呈现了一种处理功率半导体器件的方法。所述功率半导体器件具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成传导负载电流并且包括第一导电类型的漂移区，其中所述功率半导体器件包括多个单元。每个单元包括：包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区；包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；沟槽结构，其包括用于至少借助于第一沟道区中的用于第一导电类型的移动电荷载流子的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构。所述方法包括以下各项中的至少一个：a）提供第一台面，其具有在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上的小于100nm的总延伸；以及提供第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下同时沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；b）提供被布置在第二沟道区以下的第二导电类型的引导区域，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；以及提供被布置在引导区域和沟槽结构之间的第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。本领域技术人员在阅读以下详细描述时以及在查看附图时将认识到附加的特征和优点。附图说明各图中的各部分不一定是按比例的，代替地把重点放在说明本发明的原理上。此外，在各图中，同样的参考标号指定对应的部分。在绘图中：图1A-B各自示意性地图示了根据一些实施例的功率半导体器件的水平投影的区段；图2A-B各自示意性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；图3A-B各自示意性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；图4示意性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件的半导体主体中的电荷载流子浓度的分布；图5A示意性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；图5B-C各自示意性地图示了根据一些实施例的功率半导体器件的水平投影的区段；图6示意性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；图7A-B各自示意性地图示了根据一些实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；图8A-D各自示意性地图示了根据一些实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段；以及图9-17各自示意性地图示了根据一些实施例的功率半导体器件的垂直横截面的区段。具体实施方式在以下详细描述中，参考了附图，所述附图形成本文的一部分，并且在其中通过图示的方式示出了在其中可以实践本发明的特定实施例。在这个方面，方向性术语、诸如“顶部”、“底部”、“下方”、“前方”、“后方”、“背部”、“领先”、“拖尾”、“上方”等等可以参考正被描述的图的定向而使用。因为实施例的各部分可以以许多不同的定向而被定位，所以方向性术语用于说明的目的，并且决不是限制性的。要理解的是，可以利用其他实施例，并且可以做出结构或逻辑改变而不偏离本发明的范围。因此，以下详细描述不要以限制性意义来理解，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。现在将详细参考各种实施例，其中的一个或多个示例在图中被图示。每个示例通过解释的方式被提供，并且不意味着作为对本发明的限制。例如，作为一个实施例的部分所图示或描述的特征可以被使用在其他实施例上或结合其他实施例被使用以产生又另一实施例。所意图的是本发明包括这样的修改和变化。通过使用特定的语言来描述示例，所述特定语言不应被解释为限制所附权利要求的范围。附图不是按比例的，并且仅仅用于说明性目的。为了清楚，如果没有另行声明，则已在不同绘图中通过相同的参考标记指定了相同的元件或制造步骤。如在本说明书中所使用的术语“水平的”可以描述与半导体衬底或半导体区（诸如以下提及的半导体主体）的水平表面基本上平行的定向。这可以例如是半导体晶片或管芯的表面。例如，以下提及的第一横向方向X和第二横向方向Y二者可以是水平方向，其中所述第一横向方向X和第二横向方向Y可以垂直于彼此。如本说明书中所使用的术语“垂直的”可以描述这样的定向：所述定向基本上被布置成垂直于水平表面，即平行于半导体晶片的表面的法线方向。例如，以下提及的延伸方向Z可以是垂直于第一横向方向X和第二横向方向Y二者的垂直方向。因此，延伸方向Z在本文中将也被称为垂直方向Z。然而，应理解的是，以下描述的功率半导体器件的实施例可以展现横向配置或垂直配置。在本说明书中，n掺杂被称为“第一导电类型”，而p掺杂被称为“第二导电类型”。替换地，可以采用相反的掺杂关系，使得第一导电类型可以是p掺杂，并且第二导电类型可以是n掺杂。此外，在本说明书之内，术语“掺杂剂浓度”可以指代特定半导体区区域区段层的平均掺杂剂浓度，或者相应地，指代其均值掺杂剂浓度或指代其表面电荷载流子浓度（sheetchargecarrierconcentration）。因而，例如，声明特定半导体区展现与另一半导体区的掺杂剂浓度相比更高或更低的某一掺杂剂浓度的陈述可以指示半导体区的相应均值掺杂剂浓度彼此不同。在本说明书的上下文中，术语“处于欧姆接触”、“处于电接触”、“处于欧姆连接”和“电连接的”意图描述在半导体器件的两个区、区段、区域、部分或部件之间、或者在一个或多个器件的不同端子之间、或者在半导体器件的端子或金属化部或电极与一部分或部件之间存在低欧姆电连接或低欧姆电流路径。此外，在本说明书的上下文中，术语“处于接触”意图描述在相应半导体器件的两个元件之间存在直接物理连接；例如，在彼此接触的两个元件之间的过渡可能不包括另一中间元件等等。如本说明书中所使用的术语“功率半导体器件”意图描述具有高电压阻断和或高电流承载能力的单个芯片上的半导体器件。换言之，这样的功率半导体器件被配置用于高负载电流和或高电压，所述高负载电流典型地在安培范围内，例如高达数十或数百安培，所述高电压典型地在5V以上，或者在15V以上，或者更典型地400V，并且例如高达约1000伏特。例如，如本说明书中所使用的术语“功率半导体器件”不涉及用于例如存储数据、计算数据和或其他类型的基于半导体的数据处理的逻辑半导体器件。因而，本说明书中所描述的特定实施例涉及功率半导体器件（在下文中也简称为“半导体器件”或“器件”）而不限于此，所述功率半导体器件可以在功率转换器或电源内使用，例如用于将第一功率信号转换成与第一功率信号不同的第二功率信号。例如，为此，功率半导体器件可以包括一个或多个功率半导体单元，诸如单片集成的晶体管单元、单片集成的二极管单元、和或单片集成的IGBT单元、和或单片集成的MOS栅控二极管（MGD）单元、和或单片集成的MOSFET单元和或其衍生物。这样的二极管单元和或这样的晶体管单元可以被集成在半导体芯片中，其中多个这样的芯片可以被集成在诸如IGBT模块之类的功率半导体模块中。根据本文中所描述的所有实施例，功率半导体器件可以具有IGBT配置。图1A示意性地并且示例性地图示了根据一个或多个实施例的功率半导体器件1的水平投影的区段。图1B也示意性地并且示例性地图示了根据一个或多个其他实施例的功率半导体器件1的水平投影的区段。在图1A和图1B二者中，水平投影可以平行于由第一横向方向X和第二横向方向Y限定的平面。半导体器件1的组件可以各自沿着延伸方向Z延伸，所述延伸方向Z可以垂直于第一横向方向X和第二横向方向Y中的每一个。半导体器件1可以包括有源单元场16，所述有源单元场16包括一个或多个有源单元14，例如MOS（金属氧化物半导体）单元，所述有源单元14在下文中简称为“单元”14。单元14的数目大于例如一百或者甚至大于一千或更多。例如，半导体器件1可以包括具有1mm*1mm或更大的单元场面积的有源单元场16，并且例如在这样的单元场面积内例如按1至5μm的单元间距可以包括大约200至1000个单元14。有源单元场16可以被配置成传导总负载电流，其中总负载电流可以大于1A、大于10A或者甚至大于100A。在下文中，所述总负载电流也简称为“负载电流”。有源单元场16可以被半导体器件1的边缘终止区域18包围。例如，边缘终止区域18不包括任何有源单元。边缘终止区域18可以被边缘19终止，所述边缘19可以例如通过从晶片中切割芯片而形成。此外，有源单元场16，或者相应地有源单元场16和边缘终止区域18可以被配置成阻断至少20V、至少100V、至少400V或者至少1000V的电压。如在图1A中示意性地图示的，单元14可以展现条带配置。因此，单元14中的每一个以及它们可以包括的组件中的至少一些可以沿着第一横向方向X和第二横向方向Y中的一个沿着基本上整个有源单元场16延伸（如所图示的），例如与有源单元场16和边缘终止区域18之间的过渡区毗邻。在图1B中所示意性地图示的另一实施例中，单元14可以展现针状配置（也称为“柱状配置”），其沿着第一横向方向X和第二横向方向Y中的每一个的总横向延伸总计仅为有源单元场16的沿着第一横向方向X和第二横向方向Y的总横向延伸的一小部分。例如，相应针状单元的总横向延伸总计小于有源单元场16的沿着第一横向方向X和第二横向方向Y中的一个的总延伸的1%。以下将进一步解释针状单元和条带单元的另外的可选方面。在另一实施例中，有源单元场16可以包括两种类型的单元14，例如具有条带配置的一个或多个单元14和具有针状配置的一个或多个单元14，或者例如具有带有在第二横向方向Y上的不同尺寸的条带配置的一个或多个单元14。有源单元场16和边缘终止区域18二者可以至少部分地被形成在器件1的共同（joint）半导体主体10内。半导体主体10可以被配置成承载总负载电流，所述总负载电流可以例如借助于单元14来控制，如以下将更详细地解释的那样。在实施例中，半导体器件1是双极型功率半导体器件1。因而，半导体主体10内的总负载电流可以由第一导电类型的第一电荷载流子所形成的第一负载电流和与第一导电类型互补的第二导电类型的第二电荷载流子所形成的第二负载电流构成。例如，第一电荷载流子是电子，并且第二电荷载流子是空穴。现在关于图2A，其示意性地并且示例性地图示了根据一个或多个实施例的半导体器件1的垂直横截面的区段，所述半导体器件1还可以包括第一负载端子结构11和第二负载端子结构12。例如，第一负载端子结构11与第二负载端子结构12分离地布置。半导体主体10可以被耦合到第一负载端子结构11和第二负载端子结构12中的每一个，并且可以被配置成经由第一负载端子结构11接收总负载电流15（也称为“负载电流”）并且经由第二负载端子结构12输出总负载电流15，和或反之亦然。半导体器件1可以展现垂直设置，根据所述垂直设置，例如第一负载端子结构11被布置在半导体器件1的前侧，并且第二负载端子结构12被布置在半导体器件1的背侧。在另一实施例中，半导体器件1可以展现横向设置，根据所述横向设置，例如第一负载端子结构11和第二负载端子结构12二者被布置在半导体器件1的同一侧。例如，第一负载端子结构11包括第一金属化部，例如前侧金属化部，并且第二负载端子结构12可以包括第二金属化部，例如背侧金属化部。此外，第一负载端子结构11和第二负载端子结构中的一个或二者可以包括扩散阻挡部（未图示）。在本说明书内，以常规方式来表述总负载电流15的方向，即将其表述为诸如空穴的正电荷载流子的流动方向和或与诸如电子的负电荷载流子的流动相反的方向。总负载电流15的正向方向可以例如从第二负载端子结构12指向第一负载端子结构11。如以上已经解释的，总负载电流15可以包括第一导电类型的电荷载流子的移动，例如电子移动或者电子电流，以及第二导电类型的电荷载流子的移动，例如空穴移动或者空穴电流。因而，第二导电类型的电荷载流子的移动的方向可以与总负载电流15的技术（常规）方向平行，而第一导电类型的电荷载流子的移动的方向可以与负载电流15的方向反平行。第一导电类型和第二导电类型的电荷移动的总和可以形成由半导体主体10传导的总负载电流15。从第一负载端子结构11朝向第二负载端子结构12移动或者反之亦然的第一导电类型的第一电荷载流子（例如电子）可以在其通过半导体主体10的路上与互补类型的（例如第二导电类型的）第二电荷载流子（例如空穴）复合。例如，在第一负载端子结构11附近，正向方向上的总负载电流15可以主要或者甚至全部由朝向第二负载端子结构12移动的第一导电类型的电荷载流子（例如电子）的移动组成，其中在第二负载端子结构12附近（参见第三端口区104），正向方向上的总负载电流15可以大部分或甚至全部由朝向第一负载端子结构11移动的第二导电类型的电荷载流子（例如空穴）的移动组成。电子和空穴可以在半导体主体10内部复合。然而，根据一个或多个实施例，在半导体主体10的漂移区100内，可能基本上不发生复合或者仅发生很少的复合。根据实施例，第一和第二电荷载流子类型的双极性持续时间，即直至载流子的密度被减少到它们的初始值的1e≈37%的值的时间，多于例如1µs、多于10µs、多于30µs或多于70µs。此外，第一导电类型的电荷载流子的移动可以包括第一漂移移动（例如电子漂移移动）和第一扩散移动（例如电子扩散移动），或者由其组成。简而言之，第一导电类型的电荷载流子的总移动将导致第一负载电流151。而且，第二导电类型的电荷载流子的移动可以包括第二漂移移动（例如空穴漂移移动）和第二扩散移动（例如空穴扩散移动），或者由其组成。在类似的定义中，第二导电类型的电荷载流子的总移动将导致第二负载电流152。因而，在半导体器件1的导通状态中，总负载电流15可以由半导体主体10传导，其中在通过使第一负载接触结构11与第二负载接触结构12分离的半导体主体10的每个横截面处，总负载电流15可以由流动通过所述横截面的第一负载电流151（其可以是电子电流）和流动通过所述横截面的第二负载电流152（其可以是空穴电流）组成。在每个横截面处，第一负载电流151和第二负载电流152的量的总和可以等于总负载电流15的量，其中所述横截面可以垂直于总负载电流15的方向。例如，在导通状态期间，总负载电流15可以由第一负载电流151支配，即第一负载电流151可以大幅大于第二负载电流152，例如总计为总负载电流的多于75%、多于80%或者甚至多于90%。在从阻断状态到导通状态的过渡期间或者在从导通状态到阻断状态的过渡期间，即在开关期间，第二负载电流152可以表示总负载电流15的较高部分，即第二负载电流152可以甚至大于第一负载电流151。为了控制总负载电流15，半导体器件1还可以包括控制电极结构13。例如，半导体器件1可以被配置成借助于控制电极结构13而被设置成阻断状态和导通状态中的一个。在实施例中，为了将半导体器件1设置成导通状态，在所述导通状态期间可以传导正向方向上的总负载电流15，控制电极结构13可以设有具有在第一范围内的电压的控制信号。为了将半导体器件1设置成阻断状态，在所述阻断状态期间可以阻断正向电压并且避免正向方向上的负载电流15的流动，控制电极结构13可以设有具有在与第一范围不同的第二范围内的电压的控制信号。在实施例中，可以通过在控制电极结构13和第一负载端子结构11之间施加电压和或通过在控制电极结构13和第二负载端子结构12之间施加电压来提供控制信号。例如，控制电极结构13可以至少部分地被实现在单元14内，如在图2A-3B中示意性地图示的。此外，单元14可以至少部分地被实现在半导体主体10内。单元14可以形成半导体主体10的一部分。在实施例中，单元14可以包括至少一个第一单元部分141和至少一个第二单元部分142。第二单元部分142可以与第一单元部分141不同并且与其分离地布置。第一单元部分141和第二单元部分142中的每一个在一侧可以被电连接到第一负载端子结构11，并且在另一侧可以被电耦合到半导体主体10的半导体漂移区100（在本文中也简称为“漂移区”）。漂移区100是第一导电类型的区。例如，漂移区100展现在1012cm-3至1018cm-3、例如1013cm-3至1015cm-3的范围内（例如在2*1013cm-3至2*1014cm-3的范围内）的第一导电类型的掺杂剂的浓度。漂移区100还可以包括第二导电类型的掺杂剂。例如，如果半导体器件1展现补偿结构（也称为超级结结构），则相对高的掺杂剂浓度可以是适用的。在这种情况下，可能出现第一和第二导电类型的掺杂剂的局部高浓度。然而，当例如在例如基本上平行于第一负载端子结构11或第二负载端子结构12的水平面中对漂移区100中的第一和第二掺杂浓度进行积分时，结果得到的积分的掺杂剂浓度可能显著低于第一和或第二导电类型的单独的掺杂剂浓度中的较大者，例如至多是其三分之一、或五分之一、或十分之一。这样的局部高掺杂剂浓度可以支持例如在关断期间从半导体主体10中排出（drain）电荷载流子，并且因而可以引起减少的关断损耗和或较快的关断。在实施例中，第一单元部分141被配置成控制第一负载电流151，并且第二单元部分142被配置成控制第二负载电流152。例如，第一单元部分141被配置成防止第二负载电流152穿过第一单元部分141。此外，第二单元部分142可以被配置成防止第二负载电流152穿过第二单元部分142，例如如果半导体器件1处于导通状态的话。因而，第一单元部分141可以是被配置成控制第一导电类型的电荷载流子的单极型单元，并且第二单元部分142可以是被配置成控制第二导电类型的电荷载流子的单极型单元。在实施例中，半导体器件1可以被配置成借助于第一单元部分141和第二单元部分142将由半导体主体10传导的总负载电流15分成第一负载电流151和第二负载电流152，第一单元部分141和第二单元部分142可以在第一负载端子结构11与半导体主体10的一部分（例如所述漂移区100）之间形成一界面。因而，在半导体主体10的漂移区100和第一负载端子结构11之间的总负载电流15的路径中，第一负载电流151可以穿过第一单元部分141，例如如果半导体器件1处于导通状态的话，并且例如如果半导体器件1被从导通状态切换到阻断状态，则第二负载电流152可以穿过第二单元部分142，如以下将更详细地解释的那样。关于图3A和3B，将解释单元14的示例性方面。图3A和图3B示意性地并且示例性地图示了根据一个或多个实施例的半导体器件1的垂直横截面的区段。根据图3A-B的实施例的半导体器件1的一般配置可以与根据图1A、1B和2A、2B的实施例的半导体器件1的一般配置相同或相似。因而，如果没有另行声明，则以上已经关于图1A至2B陈述的内容可以同样适用于图3A和3B的实施例。在实施例中，提供给控制电极结构13的控制信号包括第一控制信号和第二控制信号。可以提供第一控制信号以用于控制第一单元部分141，并且可以提供第二控制信号以用于控制第二单元部分142。在实施例中，第一控制信号与第二控制信号相同。在另一实施例中，第一控制信号与第二控制信号不同。可以从半导体器件1的外部提供控制信号，例如由配置成生成第一控制信号和第二控制信号的驱动器（未图示）提供控制信号。在另一实施例中，可以由半导体器件1的内部信号或内部电位来生成或提供第一控制信号和第二控制信号中的一个或二者。控制电极结构13可以被包括在沟槽结构17内。此外，控制电极结构13可以包括一个或多个第一控制电极131和或一个或多个第二控制电极132。例如，一个或多个第一控制电极131和或一个或多个第二控制电极132中的每一个是沟槽电极，如在图3A-B中图示的那样。第一单元部分141可以包括能够被配置成接收第一控制信号的第一控制电极131中的一个或多个。第一控制电极131可以借助于绝缘结构133与半导体主体10绝缘。绝缘结构133可以形成沟槽结构17。第二单元部分142可以包括能够被配置成接收第二控制信号的第二控制电极132中的一个或多个。第二控制电极132也可以借助于绝缘结构133与半导体主体10绝缘。一个或多个第一控制电极131的材料和尺寸可以与一个或多个第二控制电极132的材料和尺寸相同，或者与其不同。此外，已经在这一点上，应理解的是，与图3A、3B、5A、8A-D、11、13和17中的示例性示意表示形成对比，根据一个或多个实施例，控制电极131和132也可以被布置成彼此接触，从而形成用于控制第一单元部分141和第二单元部分142中的每一个的单片控制电极。换言之，在实施例中，控制电极131和132可以是一个共同控制电极的相应区段（参见图6、7、9、10、12、13（参见虚线）、15和16）。因而，绝缘结构133可以容纳控制电极结构13。此外，（一个或多个）第一控制电极131和（一个或多个）第二控制电极132中的一个、多个或每一个可以与第一负载端子结构11和第二负载端子结构12二者电绝缘。在实施例中，第一单元部分141包括至少部分地实现为半导体主体10的一部分的第一台面101。而且，第二单元部分142可以包括至少部分地实现为半导体主体10的一部分的第二台面102。例如，第一台面101和第二台面102二者电连接到第一负载端子结构11。第二台面102可以与第一台面101不同并且与其分离地布置。第一台面101和第二台面102可以在空间上由绝缘结构133限制。将关于图5来描述台面101和102以及它们的组件的空间尺寸的示例性规格。同时，绝缘结构133可以容纳（一个或多个）第一控制电极131和（一个或多个）第二控制电极132。第一台面101可以包括电连接到第一负载端子结构11的第一端口区1011。第一端口区1011可以是第一半导体端口区。例如，第一端口区1011具有第一导电类型，并且例如包括掺杂剂浓度在1019cm-3至1022cm-3（例如1020cm-3至5*1021cm-3）的范围内的第一导电类型的掺杂剂。例如，第一端口区1011是n+区。因而，第一端口区1011的掺杂剂浓度可以比漂移区100的掺杂剂浓度大至少两个数量级（对应于是漂移区100的掺杂剂浓度的至少100倍）。在实施例中，第一端口区1011是另外已被硅化的掺杂半导体区。例如，在第一端口区1011中提供硅化物。此外，这样的硅化的第一端口区1011可以展现沿着垂直方向Z与第一控制电极131公共的延伸范围。例如，这样的硅化的第一端口区1011也能够被称为“金属源极”。在从硅化的第一端口区1011到第一台面101的第一沟道区1012（以下更详细地解释）的过渡处，可以存在掺杂尖峰，例如n+掺杂尖峰。第二台面102可以包括电连接到第一负载端子结构11的第二端口区1021。第二端口区1021可以是第二半导体端口区。例如，第二端口区1021具有第二导电类型，并且例如包括掺杂剂浓度在1018cm-3至1022cm-3（例如1019cm-3至1021cm-3）的范围内的第二导电类型的掺杂剂。例如，第二端口区1021是p+区。因而，第二端口区1021的掺杂剂浓度可以比漂移区100的掺杂剂浓度大至少两个数量级。在实施例中，第二端口区1021是另外已被硅化的掺杂半导体区。例如，在第二端口区1021中提供硅化物。此外，这样的硅化的第二端口区1021可以展现沿着垂直方向Z与第二控制电极132公共的延伸范围。在从硅化的第二端口区1021到第二台面102的第二沟道区1022（以下更详细地解释）的过渡处，可以存在掺杂尖峰，例如p+掺杂尖峰。第一台面101还可以包括与第一端口区1011接触的第一沟道区1012。第一沟道区1012可以是第一半导体沟道区。例如，第一沟道区1012具有第二导电类型，并且例如包括掺杂剂浓度在最多1019cm-3（例如1011cm-3至1018cm-3）的范围内（例如在1014cm-3至1018cm-3的范围内）的第二导电类型的掺杂剂。例如，第一沟道区1012是p区或p-区。在另一实施例中，第一沟道区1012包括例如掺杂剂浓度在最多1019cm-3（例如1011cm-3至1018cm-3）的范围内（例如在1013cm-3至1017cm-3的范围内）的第一导电类型的掺杂剂。例如，第一沟道区1012可以被耦合到半导体漂移区100。在实施例中，至少第一沟道区1012可以使第一端口区1011与半导体漂移区100分离。此外，第一沟道区1012可以是电浮置区。例如，第一沟道区1012与第一负载端子结构11不接触，而是借助于第一端口区1011与其分离。在另一实施例中，第一沟道区1012电连接到第一负载端子结构11。第二台面102还可以包括与第二端口区1021接触的第二沟道区1022。第二沟道区1022可以是第二半导体沟道区。例如，第二沟道区1022具有第二导电类型，并且例如包括掺杂剂浓度在最多1019cm-3（例如1011cm-3至1018cm-3）的范围内（例如在1014cm-3至1018cm-3的范围内）的第二导电类型的掺杂剂。例如，第二沟道区1022是p区。在另一实施例中，第二沟道区1022包括例如掺杂剂浓度在最多1019cm-3（例如1011cm-3至1018cm-3）的范围内（例如在1013cm-3至1017cm-3的范围内）的第一导电类型的掺杂剂。例如，第二沟道区1022可以被耦合到半导体漂移区100。此外，至少第二沟道区1022可以使第二端口区1021与半导体漂移区100分离。此外，第二沟道区1022可以是电浮置区，其中第二沟道区1022可以（例如借助于以下进一步提及的阻挡区域105）被耦合到漂移区100，或者甚至可以与漂移区100接触。例如，第二沟道区1022与第一负载端子结构11不接触，而是借助于第二端口区1021与其分离。在另一示例中，第二沟道区1022可以具有与第二端口区1021相同的导电类型，并且通过应用第二控制电极132的材料的合适的功函数或者将合适的电位施加到第二控制电极132，仅暂时使第二沟道区1022变成绝缘或浮置状态。第一台面101可以是第一半导体台面，并且第二台面102可以是第二半导体台面。应理解的是，沿着第二横向方向Y，第一台面101可以变成第二台面102（或者以下进一步提及的第三台面103），并且反之亦然；即，沿着第二横向方向Y，台面可以改变其配置。在有源单元场和边缘终止区域18之间的过渡处，可以省略用于电接触台面（与其类型（101、102或103）无关）的装置。在实施例中，第一端口区1011和第二端口区1021中的一个或二者可以包括金属。例如，第一端口区1011总计为第一台面101的总体积的某一部分，例如在第一台面101的总体积的最多75%（例如，10%至75%）的范围内，例如在第一台面101的总体积的20%至50%的范围内。第一沟道区1012可以总计为第一台面101的总体积的另一部分，例如在第一台面101的总体积的10%至90%（例如，25%至90%）的范围内，例如在第一台面101的总体积的25%至75%的范围内。第二端口区1021可以总计为第二台面102的总体积的某一部分，例如在第二台面102的总体积的最多75%（例如，10%至75%）的范围内，例如在第二台面102的总体积的20%至50%的范围内。第二沟道区1022可以总计为第二台面102的总体积的另一部分，例如在第二台面102的总体积的10%至90%（例如，25%至90%）的范围内，例如在第二台面102的总体积的25%至75%的范围内。在实施例中，包括第一台面101的第一单元部分141被配置成在半导体器件1的导通状态中使第一沟道区1012完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子。此外，包括第二台面102的第二单元部分142可以被配置成在半导体器件1的导通状态中使第二沟道区1022完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子。在导通状态中，如在图3B中示例性地图示的，半导体器件1可以被配置成使总负载电流15的路径分成至少两个分离的路径，其中的第一个由第一负载电流151获取并且穿过包括第一沟道区1012的第一台面101，所述第一沟道区1012完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子，并且其中的第二个由第二负载电流152获取并且既不穿过包括第二沟道区1022的第二台面102也不穿过包括第一沟道区1012的第一台面101，其中所述第二沟道区1022可以完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子，所述第一沟道区1012也可以完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子。相反，第二单元部分142可以被配置成在半导体器件1的导通状态期间阻断通过第二台面102的第二负载电流152的流动，从而避免第二导电类型的移动电荷载流子离开半导体主体10。换言之，在导通状态期间，根据一个实施例，第一台面101和第二台面102中的每一个内的第二负载电流152的大小可以总计基本上为零。根据另一实施例，负载电流的最多30%、或者最多20%或者最多10%的某一部分可以由第二负载电流152传导，所述第二负载电流152可以穿过第一台面101和第二台面102中的至少一个。在下文中，术语“完全耗尽的沟道区”意图描述完全或者至少突出地耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子的沟道区，其中第一导电类型的移动电荷载流子可以在很大程度上仍然存在于所述完全耗尽的沟道区中。相同的定义适用于术语“可完全耗尽的沟道区”。例如，在稳定的导通操作状态中，完全耗尽的第一沟道区1012不包括任何或者几乎不包括任何第二导电类型的移动电荷载流子，或者至少没有高于泄漏电流水平的第二导电类型的移动电荷载流子密度，或者至少第二导电类型的平均移动电荷载流子密度低于第一沟道区1012中的第一导电类型的平均移动电荷载流子密度的10%。此外，在实施例中，例如在稳定的阻断操作状态中，完全耗尽的第二沟道区1022不包括任何或者几乎不包括任何第一导电类型的移动电荷载流子，或者至少没有高于泄漏电流水平的第一导电类型的移动电荷载流子密度，或者至少第一导电类型的平均移动电荷载流子密度低于第二沟道区1022中的第二导电类型的平均移动电荷载流子密度的10%。因而，根据实施例，在半导体器件1的导通状态中，沟道区1012和1022是完全耗尽的区。例如，沟道区1012和1022被完全耗尽。这可以例如通过以下来实现：选择用于控制电极131和132的材料，从而导致可以与沟道区1012和或1022的功函数不同的控制电极131、132的功函数。附加地或替选地，这可以通过以下来实现：将控制电极131和132设置到相对于例如第一负载端子结构11的电位的适当电位。因而，在实施例中，由于在一侧的控制电极131、132中的一个或二者的（一个或多个）功函数与在另一侧的沟道区1012、1022中的一个或二者的（一个或多个）功函数之间的差异，以及由于将控制电极131、132中的一个或二者设置到限定的电位，可以实现沟道区1012、1022的完全耗尽。根据在本文中描述的实施例，为了实现完全耗尽的沟道区1012和1022，可以限制第一横向方向X上的横向尺寸，稍后将更详细地解释这一点。例如，如果例如通过将在所述第一范围内的电压施加于在一侧的控制电极131和132中的每一个与在另一侧的第一负载端子结构11之间（例如，控制电极131和132中的每一个的电位可以大于第一负载端子结构11的电位）而将半导体器件1设置成导通状态，则沟道区1012和1022可以变得完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子。在第一沟道区1012中，然后可以存在与其中没有施加正电压的状态相比显著更少的第二导电类型的移动电荷载流子，例如空穴。并且，在第二沟道区1022中，然后也可以存在显著更少的第二导电类型的移动电荷载流子，例如空穴。例如，在本说明书中，表述“显著更少的移动电荷载流子”意图描述相应导电类型的移动电荷载流子的量少于另一导电类型的移动电荷载流子的10%。根据实施例，半导体器件1被配置成如果施加在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间的电压在所述第一范围内（例如在-1V至+3V的范围内）则使第一沟道区1012完全耗尽第二导电类型的电荷载流子。根据另一实施例，半导体器件1被配置成如果施加在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间的电压引起在第一范围内（例如在-3MVcm至+10MVcm的范围内、或者在-2MVcm至+6MVcm的范围内、或者在-1MVcm至+4MVcm的范围内）的电场则使第一沟道区1012完全耗尽，其中所述电场存在于位于第一台面101和第一控制电极131之间的绝缘结构133内。同样的情况可以类似地适用于第二沟道区1022。例如，在半导体器件1的阻断状态中，仅仅用于第二负载电流152的电流路径存在于沟道区1012和1022中的至少一个中，例如仅存在于沟道区1022中，因而允许最终泄漏电流通过。在阻断状态中，半导体器件1可以被配置成在漂移区100中建立空间电荷区以相对于第一负载端子结构11而在第二负载端子结构12处实现更大的正电压，其在本文中被称为正向电压，其中除了小的泄漏电流之外没有负载电流在所述第一负载端子11和第二负载端子12之间流动。为了使半导体器件1从导通状态切换到阻断状态，可以在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间施加与第一范围不同的第二范围内的电压以便使第一沟道区1012中的负载电流路径截止。例如，在要被截止的第一沟道区1012中的负载电流路径是电子电流路径的情况下，第二范围的范围可以从例如1V到特定的负电压值，例如-3V。因此，在要被截止的第一沟道区1012中的负载电流路径是空穴电流路径的情况下，第二范围的范围可以从例如-1V到特定的正电压值，例如+3V。根据实施例，将半导体器件1配置成如果施加在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间的电压引起在第二范围内（例如在+3MVcm至-10MVcm的范围内、或者在2MVcm至-6MVcm的范围内、或者在1MVcm至-4MVcm的范围内）的电场则使其从导通状态变到阻断状态，其中所述电场存在于位于第一台面101和第一控制电极131之间的绝缘结构133内。也可以在第二控制电极132和第一负载端子结构11之间施加在第二范围内的相同电压或另一电压或者又另一电压。然后，可以在第二沟道区1022中诱导第二导电类型的移动电荷载流子的积聚沟道。此外，在实施例中，当也可以在第二控制电极132和第一负载端子结构11之间施加在第二范围内的相同电压或另一电压或者又另一电压时，第二沟道区1022形成朝向第一负载端子结构11的导电连接，这归因于第二导电类型的掺杂剂。在这个实施例中，第二导电类型的移动电荷载流子的所述积聚沟道对于电流传输是不需要的。例如，积聚沟道可以促进第二导电类型的第二电荷载流子从半导体主体10中到第一负载端子结构11的移动。这可以有助于在半导体器件1的切断期间半导体主体10中的总电荷载流子浓度的快速减少。为了使半导体器件1从阻断状态切换到导通状态，可以在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间施加第一范围内的电压，如以上所描述的那样。然后可以通过形成导电沟道而在第一沟道区1012中诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径。在一个示例中，半导体器件1被配置成所谓的反型器件，其中以通常已知的方式由在第二导电类型的第一沟道区1012中诱导的用于少数载流子（例如电子）的沟道来提供导电沟道。替换地，半导体器件1被配置成所谓的积聚器件，其中由第一导电类型的第一沟道区1012中的多数载流子（例如电子）的积聚沟道来提供导电沟道。在后一种配置的情况下，栅极结构可以具有与第一沟道区1012相反的导电类型（例如p型）的掺杂剂，使得由于功函数差异而形成耗尽区，并且在零或负栅极偏压下不形成导通沟道。在施加足够的栅极电压时，器件进入积聚模式，从而形成用于第一导电类型的移动电荷载流子（例如电子）的导电沟道。导电沟道可以沿着垂直方向Z在整个第一沟道区1012之上延伸。在一变体中，导电沟道也可以沿着第一横向方向X和或第二横向方向Y在整个第一沟道区1012之上延伸。同时，由于所述电压在所述第一范围内，第一沟道区1012可以变得完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子，使得第二导电类型的移动电荷载流子通过第一沟道区1012在半导体主体10与第一负载端子结构11之间的流动被强烈减少或禁止。还可以在第二控制电极132和第一负载端子结构11之间施加在第一范围内的相同电压或另一电压或者又另一电压。第二沟道区1022然后可以变得完全耗尽了第二导电类型的移动电荷载流子，使得第二导电类型的移动电荷载流子通过第二沟道区1022在半导体主体10与第一负载端子结构11之间的流动被减少或禁止。半导体主体10还可以包括第三端口区104，其被电连接到第二负载端子结构12并且耦合到漂移区100。第三端口区104可以是第三半导体端口区。例如，第三端口区104包括电连接到第二负载端子结构12的第二导电类型的第一发射极和或电连接到第二负载端子结构12的具有第一导电类型的掺杂剂的第二发射极，例如所谓的n-短部（n-short）（在第一导电类型是n的情况下），以便实现半导体器件1的反向导电性。此外，第三端口区104可以包括缓冲区，也称为场停止区，其可以具有与漂移区100相同的导电类型，例如具有第一导电类型，但是可以展现与漂移区100的掺杂剂浓度相比更高的掺杂剂浓度。然而，由于第三端口区104的这些示例性的配置通常是技术人员已知的，特别是在IGBT配置的情境中，所以第一发射极、第二发射极和缓冲区既没有在图3A-B中被图示也没有在本文中被更详细地解释。如以上已经解释的，半导体主体10可以被配置成在所述负载端子结构11和12之间传导正向方向上的总负载电流15。为此，第一控制电极131可以被配置成响应于接收到第一控制信号而在第一沟道区1012内诱导导电沟道，所述导电沟道用于传导第一负载电流151的部分。例如，响应于接收到第一控制信号，半导体器件1可以被配置成关于第二导电类型的移动电荷载流子使第一沟道区1012完全耗尽。因此，响应于接收到第二控制信号，半导体器件1还可以被配置成关于第二导电类型的移动电荷载流子使第二沟道区1022完全耗尽。根据实施例，第一负载端子结构11是发射极端子（也称为“源极端子”），并且第二负载端子结构12是集电极端子（也称为“漏极端子”），并且控制电极结构13被电连接到栅极端子结构（未图示）。例如，因此，第一台面101的第一端口区1011可以是源极区，例如半导体源极区。例如，为了将半导体器件1设置成导通状态，在所述导通状态期间可以在正向方向上传导负载端子结构11、12之间的总负载电流15，第一控制电极131可以设有具有在第一范围内的电压的第一控制信号以便在第一沟道区1012内诱导导电沟道。例如，在第一控制电极131和第一负载端子结构11之间施加电压。在实施例中，如果所施加的电压在第一范围内，则第一控制电极131的电位大于第一负载端子结构11的电位。为了将半导体器件1设置成阻断状态，在所述阻断状态中在第二负载端子结构12和第一负载端子结构11之间施加的正向方向上的电压可以被阻断并且正向方向上的负载电流15的流动被禁止，第一控制电极131可以设有具有在与第一范围不同的第二范围内的电压的控制信号，以便例如在第一沟道区1012和漂移区100之间的过渡处诱导耗尽区。例如，在第一负载端子结构11和第一控制电极131之间施加电压。在实施例中，如果所施加的电压在第二范围内，则第一控制电极131的电位等于或低于第一负载端子结构11的电位。可以将半导体器件1的操作和配置总结如下。半导体器件1可以被配置成通过提供具有在所述第一范围内的电压的控制信号而被设置成导通状态。响应于接收到这样的控制信号，第一单元部分141可以被配置成在第一沟道区1012内诱导反型沟道，这样第一导电类型的第一电荷载流子的第一负载电流151可以穿过第一台面101。同时，第一单元部分可以被配置成关于第二导电类型的电荷载流子使第一沟道区1012完全耗尽，并且因而大大减少或禁止第二负载电流152在第一台面101内的流动。此外，响应于接收到这样的控制信号，第二单元部分142可以被配置成关于第二导电类型的电荷载流子使第二沟道区1022完全耗尽，并且因而禁止第一负载电流151和第二负载电流152中的每一个在第二台面102内的流动。因而，在导通状态期间，单元部分141和142内的总负载电流可以至少被第一负载电流151支配或者甚至仅由第一负载电流151构成，因为在所述单元部分141和142内第二负载电流152基本上总计为零。为了将半导体器件1从导通状态切换到阻断状态，可以向控制信号提供在与第一范围不同的所述第二范围内的电压。响应于接收到这样的控制信号，半导体器件1可以被配置成使移动电荷载流子移出半导体主体10。为此，第一单元部分141可以被配置成通过打断（breakdown）所述反型沟道而使第一台面101内的第一负载电流151截止。在第一台面101内的第一负载电流151的截止的同时或者之前不久，第二单元部分142可以被配置成在第二沟道区1022内诱导导电沟道，以便允许第二负载电流152在第二台面内的流动。实际上，这样的第二负载电流152可以被认为是电荷载流子移除（或排出（drainage））电流，因为它使半导体主体10减少第二导电类型的电荷载流子的浓度，或者甚至关于第二导电类型的第二电荷载流子被耗尽。因而，在切断期间，单元部分141和142内的总负载电流15，即接近于第一负载端子结构11的总负载电流15可以由第二单元部分142内的第二负载电流152支配或者甚至基本上由第二单元部分142内的第二负载电流152构成。图4示意性地图示了根据一个或多个实施例的、当半导体器件1处于导通状态时其半导体主体10中的电荷载流子浓度的示例性分布。虚线示例性地图示了第一导电类型的电荷载流子（例如电子）的浓度（CC）沿着垂直方向Z的分布，并且点线示例性地图示了第二导电类型的电荷载流子（例如空穴）的浓度（CC）沿着垂直方向Z的分布。如所图示的，接近于第一负载端子结构11，例如在单元部分141和142内，第一导电类型的电荷载流子的浓度可以与第二导电类型的电荷载流子的浓度相比更高，例如归因于如在前面的段落中概述的原因并且因为单元部分141和142中的掺杂区可以对曲线有贡献。沿着半导体主体10在垂直方向Z上的延伸，例如在漂移区100内，第一导电类型的电荷载流子的浓度可以基本上等于第二导电类型的电荷载流子的浓度，例如归因于电中性的物理要求，所述电中性可以在漂移区100内部的电子-空穴等离子体内建立。接近于第二负载端子结构12，第二导电类型的电荷载流子的浓度可以与第一导电类型的电荷载流子的浓度相比显著更高，例如由于第一导电类型的电荷载流子可以连续地从半导体主体10移动到第二负载端子结构12，并且其中第二导电类型的电荷载流子可以被从所述第一发射极连续地抽到漂移区100中，所述第一发射极可以被包括在电连接到第二负载端子结构12的第三端口区104内，其中第一发射极可以包括第二导电类型的掺杂剂。根据没有在图4中图示的另一实施例，接近于第二负载端子结构12，在靠近第一导电类型的掺杂区的区域中第一导电类型的电荷载流子的密度也可以大得多，例如以便实现如之前陈述的半导体器件1的反向导电性。在缓冲或场停止区的区域中，可以出现第一和第二导电类型的电荷载流子的密度中的差异。例如，半导体器件1可以被配置成在半导体主体10内（例如在漂移区100内）诱导大于1016cm-3、或者甚至大于1017cm-3、或者甚至大于2*1017cm-3的电荷载流子的总浓度。这样高的电荷载流子的浓度可以允许在标称负载电流下或者在至少100Acm²的流动通过半导体器件的水平横截面的负载电流密度下以及在大约20°C下实现在导通状态期间的相对低的开态电压，即小于1V、小于0.9V或者甚至小于0.8V的在第一负载端子结构11和第二负载端子结构12之间的电压。所述开态电压可以基本上由接近于第二负载端子结构12的pn结引起。因而，开态电压的下降可以沿着第一负载端子结构11和第二负载端子结构12之间的距离不对称地分布，例如归因于接近于第二负载端子结构12出现的电压的主要变化以及接近于第一负载端子结构11出现的可忽略的电压变化。例如如果半导体主体主要是基于硅（Si）的，则几乎不能够实现显著小于0.7V的开态电压。关于图5A，将解释第一单元部分141和第二单元部分142的一些示例性空间尺寸。在给出特定值之前，应理解的是，每个单元14（包括第一单元部分141和第二单元部分142）可以展现条带配置或者针状配置，如已经关于图1A解释的那样。在第一种情况（“条带”）下，如在图5B中示意性地图示（不按比例！）的，第一台面101和第二台面102中的每一个可以展现鳍的形状，所述鳍具有沿着一个横向方向（例如Y）的总横向延伸，其至少总计为在另一横向方向（例如X）上的总横向延伸的多倍。例如，鳍形台面101和102可以在一个横向方向上基本上沿着整个有源单元场16延伸。在第二种情况（“针状”）下，如在图5C中示意性地图示（不按比例！）的，第一台面101和第二台面102中的每一个可以展现导线的形状。例如，台面101和102可以各自具有平行于水平面的圆形或矩形横截面，并且可以各自由绝缘结构133完全包围。因而，根据在图5A中示意性地图示的实施例，单元部分141和142可以例如展现针状配置或条带配置。在另一实施例中，第一单元部分141可以展现条带配置并且第二单元部分142可以展现针状配置，或者反之亦然。在实施例中，第一端口区1011和第二端口区1021各自从在水平Z0（其可以处于0nm）处其与第一负载端子结构11的相应接触沿着垂直方向Z延伸到水平Z12，或者相应地延伸到水平Z22，其可以各自在30nm至500nm的范围内、在50nm至400nm的范围内或者在50nm至300nm的范围内。水平Z12和Z22彼此可以基本上相同。因此，沿着垂直方向Z，第一端口区1011可以具有在30nm至500nm的范围内、在50nm至400nm的范围内、或者在50nm至300nm的范围内的总延伸DZ13，并且第二端口区1021可以具有与DZ13基本上相同的在垂直方向上的总延伸DZ23。此外，第一沟道区1012和第二沟道区1022可以各自从在水平Z12处与第一端口区1011的接触，或者相应地，从在水平Z22处与第二端口区1021的接触沿着垂直方向Z延伸到水平Z13，或者相应地延伸到水平Z23，其可以各自在50nm至700nm的范围内、在60nm至550nm的范围内或者在100nm至400nm的范围内。水平Z13和Z23彼此可以相同。因此，沿着垂直方向Z，第一沟道区1012可以具有在50nm至700nm的范围内、在80nm至550nm的范围内、或者在150nm至400nm的范围内的总延伸DZ14，并且第二沟道区1022可以具有与DZ14基本上相同的在垂直方向上的总延伸DZ24。第一控制电极131和第二控制电极132可以沿着垂直方向Z与第一负载端子结构11间隔开距离DZ11，或者相应地间隔开距离DZ21，所述DZ21可以与DZ11相等。因而，所述距离DZ11和DZ21可以与使控制电极131和132与第一负载端子结构11隔离的绝缘结构133的区段的沿着垂直方向Z的厚度相同。DZ11和DZ21中的每一个可以在10nm至490nm的范围内、在20nm至180nm的范围内或者在30nm至250nm的范围内。换言之，第一控制电极131可以展现一近端，其被布置于在大小方面对应于DZ11的水平Z11处，并且第二控制电极132可以展现一近端，其被布置于在大小方面对应于DZ21的水平Z21处。在实施例中，第一控制电极131可以展现沿着垂直方向Z的总延伸DZ15，其大于第一沟道区1012的总延伸DZ14，并且可以被布置成使得它展现沿着垂直方向Z的与第一沟道区1012的公共延伸范围，其大于第一沟道区1012的总延伸DZ14的100%，如在图5A中示意性地图示的那样。因而，第一控制电极131的所述总延伸DZ15可以至少总计为DZ14的1.1倍、DZ14的1.3倍、或者甚至DZ14的1.5倍。对着垂直方向Z，可以有在10nm至490nm的范围内、在20nm至380nm的范围内或者在50nm至250nm的范围内的重叠DZ12，所述重叠DZ12同时可以是与第一端口区1011的公共延伸范围。在垂直方向Z上，第一控制电极131可以展现在10nm至490nm的范围内、在20nm至380nm的范围内或者在30nm至250nm的范围内的重叠DZ16，所述重叠DZ16同时可以是与漂移区100的公共延伸范围。此外，第一控制电极131可以在水平Z14处展现一远端，所述远端与绝缘结构133在水平Z15处的远端间隔开距离DZ17，所述距离DZ17可以在60nm至1200nm的范围内、在100nm至900nm的范围内或者在200nm至650nm的范围内。以上已经关于第一控制电极131沿着垂直方向Z的延伸和布置所陈述的内容同样可以适用于第二控制电极132及其关于第二沟道区1022的相对位置。因而，DZ25的值可以在与DZ15相同的范围内，DZ21的值可以在与DZ11相同的范围内，DZ22的值可以在与DZ12相同的范围内，并且DZ26的值可以在与DZ16相同的范围内。此外，第二控制电极132可以在水平Z24处展现一远端，所述远端与绝缘结构133在水平Z25处的远端间隔开距离DZ27，其中距离DZ27的值可以在与DZ17相同的范围内。第一控制电极131的上和下垂直端部（Z11、Z14）和第二控制电极132的上和下垂直端部（Z21、Z24）可以仅在第一沟道区1012和第二沟道区1022附近或者与其相邻地指定，如以上所陈述的那样。在第一横向X上远离第一沟道区1012或第二沟道区1022行进得更远，控制电极131、132的上和或下垂直端部可以不同。上端部（参见图6中的参考标号Z11'）可以例如甚至位于位置Z0以上或者位置Z0以下。下端部Z14和Z24可以例如甚至位于位置Z15以下或者位置Z15以上。清楚的是，根据实施例，与所选择的空间尺寸无关，第一控制电极131和第二控制电极132仍然与第一负载端子结构11和漂移区100电绝缘。沿着第一横向方向X，第一控制电极131可以与第一沟道区1021间隔开距离DX12，所述距离DX12可以在1nm至100nm的范围内、在2nm至50nm的范围内或者在3nm至20nm的范围内。所述距离DX12可以与使第一控制电极131和第一台面101隔离的绝缘结构133的沿着第一横向方向X的厚度相同。因此，沿着第一横向方向X，第二控制电极132可以与第二沟道区1022间隔开距离DX22，所述距离DX22可以在1nm至100nm的范围内、在2nm至50nm的范围内或者在3nm至20nm的范围内。所述距离DX22可以与使第二控制电极132和第二台面102隔离的绝缘结构133的沿着第一横向方向X的厚度相同。第一控制电极131沿着第一横向方向X的厚度DX11可以在10nm至10,000nm的范围内、在50nm至7,000nm的范围内或者在100nm至5,000nm的范围内。第二控制电极132沿着第一横向方向X的厚度DX21可以与厚度DX11在相同的范围内，或者在以上关于厚度DX11描述的所述范围中的另一个内。如在上文中提及的，与图5A中的示例性示意表示形成对比，根据一个或多个实施例，控制电极131和132可以彼此接触（即在图5A中，X16将等于X21），从而形成可以用于控制第一单元部分141和第二单元部分142中的每一个的共同控制电极。在根据图5A的实施例中，单元14可以展现针状配置或条带配置，如以上已经解释的那样。例如，在第一种情况（“针状”）下，单元14可以各自展现例如径向对称的结构，并且图5A的垂直横截面的区段实际上仅仅描绘了展现例如圆柱形的单个第一控制电极131以及例如也展现圆柱形的单个第二控制电极132，所述第一控制电极131和第二控制电极132涂覆第一台面101，或者相应地涂覆第二台面102。在这种情况下，第一横向方向X和第二横向方向Y中的每一个表示径向方向。此外，针状单元还可以展现平行于YX平面的例如具有圆角的矩形横截面或者椭圆形横截面。在第二种情况（“条带”）下，第一单元部分141可以包括仅在一个侧面上侧接（flank）第一台面101的单片第一控制电极131，并且因此，第二单元部分142也可以包括仅在一个侧面上侧接第二台面102的单片第二控制电极132。在另一个实施例中，如在图5A中图示的，第一控制电极131可以是多部分，例如两部分第一电极131，并且第二控制电极132也可以是多部分，例如两部分第二电极132。例如，根据图5A的实施例，如果单元14展现条带配置，则第一控制电极131可以是沿着第一横向方向X关于第一台面101镜像对称布置的两部分第一控制电极131，并且第二控制电极132可以是沿着第一横向方向X关于第二台面101镜像对称布置的两部分第二控制电极132。因而，以上已经关于尺寸DX11、DX21和DX12、DX22陈述的内容同样可以适用于在图5A中指示的尺寸DX14、DX24和DX15、DX25。如以上已经解释的，台面101和102及其组件的空间尺寸可以各自由绝缘结构133限制。第一台面101和第二台面102中的每一个平行于第一负载电流151或者相应地第二负载电流152的路径的总延伸Z15，其可以平行于垂直方向Z，可以至少总计为垂直于负载电流路径（例如在第一横向方向X和第二横向方向Y中的至少一个上）的相应总延伸DX13、DX23的多倍。例如，第一台面101的第一沟道区1012在垂直于第一台面101内的第一负载电流151的路线的方向上（例如在垂直于垂直方向Z的方向上（例如在第一横向方向X上））的宽度DX13在第一台面101内的第一负载电流151的方向上（例如沿着平行于垂直方向Z的方向）的一距离之上可以小于100nm、小于60nm、或者甚至小于40nm，所述距离总计为DX13的至少三倍。例如，第一沟道区1012沿着垂直方向Z上的至少300nm可以展现小于100nm的宽度DX13，沿着垂直方向Z上的至少180nm可以展现小于60nm的宽度DX13，或者沿着垂直方向Z上的至少120nm可以展现小于40nm的宽度DX13。图5A示出具有基本上平行的侧壁的第一台面101。与此形成对比，第一台面101也可以具有部分或者完全锥形的侧壁，例如其中横向宽度DX13在垂直位置Z13处比在垂直位置Z12处的DX13大最多50%。第一沟道区1012沿着垂直方向Z的延伸DZ14可以与DX13的较大或较小值相关。类似地，第二台面102的第二沟道区1022在垂直于第二台面102内的第二负载电流152的路线的方向上（例如在垂直于垂直方向Z的方向上（例如在第一横向方向X上））的宽度DX23在第二台面102内的第二负载电流152的方向上（例如沿着平行于垂直方向Z的方向）的一距离之上可以小于100nm、小于60nm、或者甚至小于40nm，所述距离总计为DX23的至少三倍。例如，第二沟道区1022沿着垂直方向Z上的至少300nm可以展现小于100nm的宽度DX23、沿着垂直方向Z上的至少180nm可以展现小于60nm的宽度DX23或者沿着垂直方向Z上的至少120nm可以展现小于40nm的宽度DX23。图5A示出具有基本上平行的侧壁的第二台面102。与此形成对比，第二台面102也可以具有部分或者完全锥形的侧壁，例如其中横向宽度DX23在垂直位置Z23处比在垂直位置Z22处的DX23大最多50%。第二沟道区1022沿着垂直方向Z的延伸DZ24可以与DX23的较大或较小值相关。应理解的是，与图5A中的示意性表示形成对比，绝缘结构133不需要必须沿着第一台面101和第二台面102之间的整个距离DX30在垂直方向Z上延伸得至少与第一控制电极131一样远，而是可以例如沿着第一台面101和第二台面102之间的距离DX30的至少80%在垂直方向Z上延伸得更小，例如在与第一端口区1011在垂直方向Z上的总延伸（图5A中的DZ13）或者相应地第二端口区1021在垂直方向Z上的总延伸（图5A中的DZ23）相同的范围内。第一单元部分141和第二单元部分142之间的沿着第一横向方向X和第二横向方向Y中的一个的距离，在下文中也称为“单元内（intra-cell）间距”DX40，可以在100nm至15,000nm的范围内、在300nm至10,000nm的范围内或者在500nm至8,000nm的范围内。在实施例中，根据以下呈现的下面的等式（1）来确定第一台面101的尺寸：；。因此，在实施例中，DX13，即第一沟道区1011的宽度，沿着第一台面101在垂直方向Z上的总延伸的至少80%、至少90%或者沿着所述总延伸的至少95%、或者甚至沿着所述总延伸的至少99%，等于或小于最大宽度Wmax的两倍，根据以上呈现的等式（1）来确定最大宽度Wmax，其中ε=第一沟道区1012的材料的介电常数；k=玻尔兹曼常数；T=温度；ln表示自然对数；NA=第一沟道区1012的材料的掺杂剂浓度；ni=本征载流子浓度（例如在27°C下在Si的情况下为1.45*1010）；以及q=元电荷。在实施例中，相应地确定第二台面102的尺寸，即DX23，沿着第一台面101在垂直方向Z上的总延伸的至少80%、至少90%或者沿着所述总延伸的至少95%、或者甚至沿着所述总延伸的至少99%，所述DX23等于或小于最大宽度Wmax的两倍，利用对于第二沟道区1022适用的值来确定最大宽度Wmax。在另一实施例中，第二台面102可以展现显著大于第一台面101的宽度DX13（例如为DX13的至少两倍、或者甚至为DX13的至少十倍）的宽度DX23。例如，DX13（以及可选地）DX23在15nm至100nm的范围内，而第一沟道区1012的掺杂剂浓度和第二沟道区1022的掺杂剂浓度中的每一个大于8*1018cm-3。在实施例中，第一端口区1011、第一沟道区1012、第二端口区1021和第二沟道区1022中的每一个可以因而构成纳米级结构，所述纳米级结构具有小于100nm的在第一横向方向X、第二横向方向Y和垂直方向Z中的至少一个上的空间尺寸。在实施例中，相应区沿着其展现小于100nm的延伸的所述至少一个方向垂直于在相应区内传导的适用负载电流的方向。现在参考在图6和图7A中示意性地并且示例性地图示的功率半导体器件1的实施例。功率半导体器件1具有耦合到第一负载端子结构11和第二负载端子结构12的半导体主体10，如以上所解释的那样。半导体主体10被配置成传导负载电流（参见先前绘图中的参考标号15）并且包括第一导电类型的漂移区100，如以上所解释的那样。功率半导体器件1包括多个单元14。可以同样地配置单元14，并且在图6中示出一个单元14的区段。因此，每个单元14包括被包括于第一单元部分141中的第一台面101，所述第一台面101包括：被电连接到第一负载端子结构11的第一导电类型的第一端口区1011，以及被耦合到漂移区100的第一沟道区1012，其中可选地，第一台面101展现在垂直于第一台面101内的负载电流部分的垂直方向Z的第一横向方向X上的小于100nm的总延伸（参见参考标号DX13），如以上所解释的那样。例如，可以采用第一接触插塞111来建立第一负载端子结构11和第一端口区1011之间的电连接。例如，在其中要提供第一接触插塞111的区中，可以用衬垫113来至少部分地覆盖绝缘结构133，如所图示的那样。根据实施例，第一接触插塞111具有为第一台面101的宽度DX13的至少两倍的宽度。可选地，第一接触插塞111可以在多于一个位置处接触第一台面101和或第二台面。每个单元14还包括被包括于第二单元部分142中的第二台面102，所述第二台面102包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构11的第二端口区1021，以及被耦合到漂移区100的第二沟道区1022，如以上所解释的那样。例如，可以采用第二接触插塞112来建立第一负载端子结构11和第二端口区1021之间的电连接。例如，在其中要提供第二接触插塞112的区中，可以用衬垫113来部分地覆盖绝缘结构133，如所图示的那样。每个单元14还包括沟槽结构17，所述沟槽结构17包括用于至少借助于第一沟道区1012中的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构13（例如被实现为共同第一控制电极131），如以上所解释的那样。根据实施例，每个单元14还包括布置在第二沟道区1022以下的第二导电类型的引导区域1023，其中所述引导区域1023与第二台面102横向重叠，并且朝向第一台面101横向延伸而不与第一台面101横向重叠，如在图6和7A二者中图示的那样。例如，引导区域1023可以例如沿着第一横向方向X和第二横向方向Y二者与第二台面102完全重叠。在实施例中，以下还可以是可能的：引导区域1023与第一台面101至少部分地横向重叠，例如在边缘终止区域18的一部分中和或在有源单元场16的一部分内。在实施例中，至少对于80%的有源单元场16，在引导区域1023和第一台面101之间不存在横向重叠。在其余的20%的有源单元场16中，在引导区域1023和第一台面101之间可以存在（或者可以不存在）横向重叠。例如，有源单元场的所述部分之间的比例可以不总计为80%至20%，而是可以例如属于90%至10%，或者属于95%至5%（即在95%的有源单元场中，在引导区域1023和第一台面101之间不存在横向重叠。此外，在实施例中，至少对于80%的有源单元场16，在引导区域1023和第二台面102之间存在完全横向重叠。在其余的20%的有源单元场16中，在引导区域1023和第二台面102之间可以存在（或者可以不存在）横向重叠。例如，有源单元场的所述部分之间的比例可以不总计为80%至20%，而是可以例如属于90%至10%，或者属于95%至5%（即在95%的有源单元场中，在引导区域1023和第二台面102之间存在横向重叠。此外，在实施例中，至少对于80%的有源单元场16，在引导区域1023和第一控制电极131在第一横向方向X上的总延伸的至少30%之间存在横向重叠。在其余的20%的有源单元场16中，在引导区域1023和第一控制电极131之间可以存在（或者可以不存在）横向重叠。例如，有源单元场的所述部分之间的比例可以不总计为80%至20%，而是可以例如属于90%至10%，或者属于95%至5%（即在95%的有源单元场中，在引导区域1023和第一台面101之间不存在横向重叠。在实施例中，如在图6中图示的，引导区域1023被布置在第二沟道区1022以下，同时沿着垂直方向Z从第一和第二沟道区1012、1022二者在空间上移位。作为其的补充或替代，在实施例中，如在图7A中所图示的，每个单元14还可以包括被布置在引导区域1023和沟槽结构17之间的第一导电类型的阻挡区域105，其中可选地，所述阻挡区域105的掺杂剂浓度是漂移区100的掺杂剂浓度的至少两倍。引导区域1023可以展现至少1015cm-3、至少1016cm-3或者至少2*1017cm-3的掺杂剂浓度。在实施例中，在器件1的导通状态期间，引导区域1023的掺杂剂浓度至少与存在于漂移区100中的电荷载流子的总浓度一样大，例如为至少2*1017cm-3。引导区域1023的掺杂剂浓度可以例如至少沿着垂直方向Z和第一横向方向X中的一个变化。例如，掺杂剂浓度的最大值可以存在于（关于垂直方向Z的）内部部分内，例如在上部内部部分内。此外，掺杂剂浓度可以沿着朝向第一台面101的方向减小。掺杂剂浓度可以关于垂直方向Z不对称，并且可以例如与朝向第一负载端子结构11的方向相比而在朝向第二负载端子结构12的方向上具有更深的拖尾特性；即与引导区域1023的掺杂剂浓度沿着朝向第一负载端子结构11的距离的减小相比，引导区域1023的掺杂剂浓度的减小可以朝向第二负载端子结构12存在达更长的距离。例如，引导区域1023既不电连接到第一负载端子结构11也不电连接到第二负载端子结构12。例如，引导区域1023至少借助于漂移区100的区段而与第二负载端子结构12分离。此外，引导区域1023可以借助于第一导电类型的半导体部分（例如通过漂移区100的区段和阻挡区域105的区段中的至少一个）而与第二沟道区1022分离。在实施例中，第二沟道区1022和引导区域1023之间的沿着垂直方向Z的最小距离总计为至少50nm、至少100nm或者至少250nm。在实施例中，第二沟道区1022和引导区域1023之间的沿着垂直方向Z的最大距离总计不多于3000nm、不多于1500nm或者不多于500nm。因此，引导区域1023可以通过以上提及的最小距离和最大距离内的距离而与第二沟道区1022分离。此外，引导区域1023和第一台面101之间的沿着第一横向方向X的最小距离DXmin总计为至少100nm。然而，根据实施例，该距离不大于1000nm或者不大于500nm。然而，如以上所指示的，尽管在有源单元场16内，引导区域1023通常借助于第一导电类型的半导体部分而与第二沟道区1022分离，但是在边缘终止区域18内，可能适当的是在引导区域中的一个和第一负载端子结构11之间提供至少一个第二导电类型的路径（未图示）。阻挡区域105可以与第一台面101和第二台面102二者横向重叠（部分地或完全地）。因而，第一台面101的沟道区1012和第二台面102的沟道区1022可以借助于以下各项而在半导体主体10内彼此连接：a第一导电类型的第一路径，所述第一路径例如借助于阻挡区域105和或借助于漂移区100的区段而形成；以及b具有npn配置的第二路径，所述npn配置由阻挡区域105（或者相应地，漂移区100的区段）以及引导区域1023（其形成第二路径的npn配置的p部分）形成。如在图6和7A二者中图示的，并且如以上已经进一步解释的，控制电极结构13可以包括在沟槽结构17内的第一控制电极131。第一控制电极131可以以使得它可以控制第一沟道区1012内的导电沟道和第二沟道区1022内的积聚沟道二者这样的方式而被配置。如果第一控制电极131被以这样的方式配置，则它因此还可以被称为共同控制电极131。在实施例中，引导区域1023沿着第一横向方向X与第一（共同）控制电极131横向重叠达第一控制电极131在该第一横向方向X上的总横向延伸的至少60%、或者至少80%。因而，在第一（共同）控制电极131和引导区域1023之间形成显著的横向重叠。例如，引导区域1023从而可以被配置成屏蔽第一（共同）控制电极131不受漂移区100内的电位的影响，从而减少不希望的电容耦合。这可以产生对开关操作的改进的可控性。根据实施例，第一（共同）控制电极131可以同时或者替换地具有无屏蔽的子部分，所述无屏蔽的子部分与引导区域1023没有横向重叠，例如第一（共同）控制电极131的这样的无屏蔽的区小于第一控制电极131在第一横向方向X上的第一控制延伸的总横向延伸的40%或20%。根据另一实施例，第一控制电极131的无屏蔽的子部分在第一横向方向上短于1000nm或者短于500nm。例如，第一控制电极131的无屏蔽的子部分是第一控制电极131的最靠近第一台面101的子部分。容纳第一（共同）控制电极131的沟槽结构17可以包括与第一台面101接合的第一沟槽侧壁171、与第二台面102接合的第二沟槽侧壁172、以及在第一沟槽侧壁171和第二沟槽侧壁172之间的沟槽底部175。第一（共同）控制电极131可以近似从第一侧壁171延伸到近似第二沟槽侧壁172，其中第一（共同）控制电极131既不接触第一台面101也不接触第二台面102，而是借助于绝缘结构133与其电绝缘。例如，沟槽底部175与漂移区100或者与阻挡区域105（如果存在的话）接合，所述阻挡区域105可以展现与漂移区掺杂剂浓度相比显著增加的掺杂剂浓度。例如，如果第一控制电极131基本上从第一沟槽侧壁171延伸到第二沟槽侧壁172，即如果第一控制电极131是对于第一台面101和第二台面102二者的共同控制电极，则提供阻挡区域105可以是适当的。然后，半导体主体10和第一（共同）控制电极131之间的不希望的电容耦合可以借助于阻挡区域105被避免，并且甚至借助于阻挡子区域1052（参见以下更详细的解释）而被更有效地避免。在另一实施例中，如果控制电极结构13包括对于第一台面101和第二台面102分离的控制电极131和132，并且如果例如两个控制电极131和132借助于绝缘结构133彼此分离（如在图3A-B、5A、9和17中示例性地图示的），则也可以省略阻挡区域105。在实施例中，如在图7B中图示的，绝缘结构133的在第一沟槽侧壁171和第一控制电极131之间的沿着第一横向方向X的第一厚度总计小于绝缘结构133的在沟槽底部175和第一控制电极131之间的沿着垂直方向Z的第二厚度的一半。因此，与第一沟槽侧壁171处的区相比，绝缘结构133在沟槽底部175处可以展现更大的厚度。例如，在沟槽结构17的过渡子区174处，沟槽底部175和第一沟槽侧壁171彼此合并并且绝缘结构133的厚度从第一厚度例如逐渐增加到第二厚度。例如，第二厚度甚至大于第一厚度的两倍，例如是第一厚度的至少三倍，或者甚至大于第一厚度的四倍。根据实施例，绝缘结构133的沿着第一控制电极131在过渡子区174外部沿第一横向方向X的整个路线的厚度至少总计为第二厚度。例如，在沟槽底部175处的相对厚的绝缘体（例如氧化物）允许减少半导体主体10和第一控制电极131之间的不希望的电容耦合。还可能适当的是限制第二厚度；例如就可控性而言，可能适当的是将第二厚度设计成不大于第一厚度的百倍，例如小于第一厚度的50倍、或者小于第一厚度的20倍、或者小于第一厚度的10倍。应理解的是，还可以在图6中示意性地示出的实施例中实现这样的过渡子区段174（例如如在图7B中图示的），并且还可以在沟槽底部175和第二沟槽侧壁172之间的过渡处实现过渡子区174。例如，绝缘结构133在（一个或多个）过渡子区174中的厚度的逐渐增加可以产生功率半导体器件1的更稳健的操作行为，因为可以避免在（一个或多个）过渡子区174处或者接近于（一个或多个）过渡子区174的电场强度的电位局部增加的不希望的影响。作为以上描述的过渡子区174的补充或替代，第一台面101可以展现一台面开口，所述台面开口具有为其在第一横向方向X上的总延伸（参见参考标号DX13）的至少两倍的宽度。例如，第一台面101的台面开口的宽度由沟槽结构17的两个相邻沟槽底部175之间的在第一横向方向X上的距离来限定。该可选方面在图5A中也被示意性地图示，即借助于将沟槽侧壁171172链接到沟槽底部175的点式并且弯曲的路线。因而，尽管在第一台面101的沿着垂直方向Z与第一控制电极131完全重叠的区段中，第一台面101可以展现它的不多于100nm的沿着第一横向方向X的宽度，但是这样的最大宽度在台面开口处可以增加，例如增加到至少两倍。例如，由绝缘结构133的对应弯曲路线形成台面开口；例如限定台面开口的半径总计为以上提及的绝缘结构133的第一厚度的至少三倍、至少五倍或者至少10倍。根据实施例，第二台面102也可以展现对应的台面开口，所述台面开口具有为其在第一横向方向X上的总延伸（参见参考标号DX23）的至少两倍的宽度。根据另一实施例，第二台面102也可以展现由绝缘结构133的对应弯曲路线形成的开口；例如限定台面开口的半径总计为以上提及的绝缘结构133的第一厚度的至少三倍、至少五倍或者至少10倍。如以上已经指示的，阻挡区域105可以被提供在引导区域1023和第二沟道区1022之间。例如，阻挡区域105包括与沟槽底部175接触的所述阻挡子区域1052，其中阻挡子区域1052的掺杂剂浓度至少与漂移区100的掺杂剂浓度一样大。阻挡子区域1052的掺杂剂浓度可以大于漂移区100的掺杂剂浓度的两倍；例如阻挡子区域1052的掺杂剂浓度可以大于漂移区100的掺杂剂浓度的50倍、大于其500倍、2000倍。例如，阻挡子区域1052的掺杂剂浓度总计为至少1017cm-3。此外，阻挡子区域1052可以具有比阻挡区域105的其余部分（即，阻挡区域105的不是子区域1052的部分）更大的掺杂剂浓度。此外，在过渡子区174内，阻挡子区域1052可以与沟槽底部175接触。因而，在沟槽结构17的过渡子区174处，可以布置有具有显著增加的掺杂剂浓度的第一导电类型的半导体区。例如，阻挡子区域1052被配置成防止第二导电类型的电荷载流子接近沟槽底部175。例如，这允许减少第一控制电极131和半导体主体10之间的不希望的电容耦合。在实施例中，阻挡子区域1052展现小于100nm的厚度。尽管阻挡区域105可以与第一台面101和第二台面102二者完全横向重叠，但是在实施例中，阻挡子区域1052在过渡子区174处终止，即在其中沟槽底部175与第一沟槽侧壁171合并的区中和或在其中沟槽底部175与第二沟槽侧壁172合并的区中终止。阻挡区域105可以不仅被布置在引导区域1023和沟槽底部175之间，而且可以横向延伸得更远，例如以便与第一台面101完全横向重叠，如在图7A和7B中示意性地图示的那样。但是，在实施例中，与引导区域1023相比，阻挡区域105沿着垂直方向Z不延伸得更远。例如，阻挡子区域1052覆盖沟槽底部175。在另一个实施例中，阻挡子区域1052甚至可以与第一台面101至少部分地横向重叠。或者，如在大部分的绘图中图示的，至少阻挡区域105与第一台面101至少部分地横向重叠。例如，通过在第一台面101以下的区中提供第一导电类型的掺杂剂的增加的掺杂剂浓度，可以避免第二导电类型的电荷载流子接近第一台面101正下方的区。例如，沿着垂直方向Z在阻挡区域105和引导区域1023之间的过渡形成上部pn结1051，并且沿着垂直方向Z在引导区域1023和漂移区100之间的过渡形成下部pn结1001。例如，沿着垂直方向Z在沟槽底部175和上部pn结1051之间的距离总计为至少50nm并且总计不多于500nm，其中取决于沟槽结构17的配置，这样的距离还可以显著更大（参见例如图9）。因此，在实施例中，引导区域1023不接触沟槽结构17，而是通过第一导电类型的半导体区（例如通过阻挡区域105）而与其分离。此外，在两个pn结1051和1001之间的距离，即引导区域1023的沿着垂直方向Z的最大厚度，可以在300nm至5000nm的范围内。然而，如从以下进一步的解释中将变得显然的，这样的最大厚度可以沿着第一横向方向X变化。与厚度是否变化无关，引导区域1023的沿着垂直方向Z的最大厚度在任何情况下都可以总计小于半导体主体10沿着垂直方向Z的总延伸的十分之一。例如，引导区域1023的沿着垂直方向Z的最大厚度在任何情况下都可以在第一台面101沿着垂直方向Z的总延伸的0.5倍到10倍的范围内。如以上已经解释的，引导区域1023可以借助于第一导电类型的半导体部分（例如通过漂移区100的区段和阻挡区域105的区段中的至少一个）而与第二沟道区1022分离。第二沟道区1022可以与所述第一导电类型的半导体部分形成pn结，并且以上所提及的引导区域1023和第二沟道区1022之间的沿着垂直方向Z的示例性最小距离和最大距离，可以是在pn结1051与第二沟道区1022和至少所述第一导电类型的半导体部分（通过漂移区100的区段和阻挡区域105的区段中的至少一个）之间形成的pn结之间的最小距离和最大距离。例如，关于图15中示意性地并且示例性地图示的实施例，在朝向第一台面101横向延伸的同时，引导区域1023的厚度可以减小到至多二分之一。此外，当引导区域1023朝向第一台面101横向延伸并且减小厚度时，沟槽结构的底部175和引导区域1023之间的距离可以保持基本上恒定。例如，当引导区域1023朝向第一台面101延伸时，沟槽底部175和上部pn结1051之间的距离不变。然而，当引导区域1023朝向第一台面101延伸时，两个pn结1051和1001之间的距离可以减小。例如，这样的厚度减小形成引导区域1023的突起状区段，其可以允许如以上所描述的在第一台面101下面的引导区域1023的开口DXmin或者引导区域1023的在朝向第一台面101的横向方向上的横向端部的更好控制。在控制电极结构13包括两个分离的第一和第二控制电极131和132的情况下，引导区域1023的这样的示例性形式也是可能的，如在图17中示出的那样。如以上已经指示的，引导区域1023可以产生对功率半导体器件1的开关操作的改进的可控性。例如，第二沟道区1022和引导区域1023之间的连接在功率半导体器件1的第一操作状态（例如导通状态）期间展现第一电导率，并且在功率半导体器件1的第二操作状态（例如阻断状态）期间展现第二电导率。第二电导率可以是第一电导率的至少十倍。因而，例如至少在功率半导体器件1的从导通状态到阻断状态的过渡期间，通过第二沟道区1022的电流流动可以是在功率半导体器件的导通状态期间通过第二沟道区1022的电流流动的至少十倍。例如，因此，在功率半导体器件1的关断操作之前不久和或期间以及或者在功率半导体器件1的阻断状态期间，第二导电类型的电荷载流子（例如第二负载电流152）的排出可以增加。例如，在从第一操作状态到第二操作状态的过渡期间，引导区域1023的电位从第一负载端子结构11的电位偏离至多3V、至多1.5V或者甚至小于0.5V。在实施例中，沿着上部pn结1051和第二沟道区1022之间的路径引起电压差。此外，在示例中，在功率半导体器件1的阻断状态期间和或在从导通状态到阻断状态的过渡期间，引导区域1023被配置成沿着第一台面101和第二台面102之间的路径引导与第二沟道区1022的电位相差至少50mV并且小于3V的电位以及第二导电类型的电荷载流子中的至少一个。取决于应用，也可以不同地选择该电压范围，例如它在50mV至3V内、或者在100mV至1.5V内、或者在150mV至500mV内。同样，在实施例中，沿着上部pn结1051和第二沟道区1022之间的路径引起电压差，其可以完全形成第一导电类型的半导体部分，例如通过漂移区100的区段和阻挡区域105的区段中的至少一个，如以上所解释的那样。关于以上所描述的所有实施例，应理解的是第一沟道区1012和第二沟道区1022二者可以具有第二导电类型。因而，第一沟道区1012和第二沟道区1022二者可以与布置在下面的第一导电类型的半导体区（例如与漂移区100或者与阻挡区域105）形成相应的pn结。如以上所指示的，控制电极结构13可以包括用于每个单元部分141和142的分离的控制电极。例如，如在图8A-D中的每个中图示的，第一控制电极131与第一台面101相关联，其中第二控制电极132与第二台面102相关联。控制电极131和132可以不仅被彼此分离地布置，而且在相对于相关联的台面101102的相对位置、尺寸和材料中的至少一个的方面彼此不同。第一控制电极131被配置用于至少控制第一台面101，并且第二控制电极132被配置用于至少控制第二台面102。例如，根据在图8A中示意性地图示的实施例，控制电极131和132彼此分离地布置，但是关于相对于相关联的台面101102的相对位置彼此没有不同。例如，这可以产生第一单元部分141和第二单元部分142在单元内的对称布置。控制电极131和132可以借助于绝缘结构133彼此分离。在第一横向方向X上，引导区域1023可以例如与跟第二台面102相关联的第二控制电极132完全重叠，并且例如与跟第一台面101相关联的第一控制电极131仅部分重叠。如果存在，则阻挡子区域1052可以在第一横向方向X上与两个控制电极131、132横向重叠。如以上还已经进一步指示的，两个控制电极131、132可以被供应相同的控制信号；例如第一控制电极131可以与第二控制电极132电连接。在另一实施例中，控制电极131和132彼此电绝缘并且因此可以被供应单独的控制信号，例如驱动器（未图示）被配置成将第一控制信号提供给第一控制电极131并且将第二控制信号提供给第二控制电极132。后一种变体可以允许更灵活的控制方案，但是需要对应的驱动器配置。在另一实施例中，第一控制电极131和第二控制电极132可以借助于限定的欧姆电阻而连接到彼此。然后，可以向两个电极提供单个控制信号，其中这样的单个控制信号可以在开关期间在第一控制电极131和第二控制电极132之间引起动态电压差，并且在静态开态（在本文中也称为导通状态）和静态关态（在本文中也称为阻断状态）期间在两个电极处引起相同的电压。根据实施例，与第一台面101相比，第二台面102展现沿着第一横向方向X更大的总延伸范围（即更大的宽度）。在图8A和8C中还图示了该可选方面，其中第二台面102的宽度例如可以大于第一台面101的宽度的两倍。根据另一实施例并且如在图8D中示意性地图示的，与第一台面101相比，第二台面102可以展现沿着第一横向方向X更小的总延伸范围（即更小的宽度）。可选地，第一台面101也可以展现在图8D中由点线示出的接触掺杂部分1019。如在图8B-D中图示的，提供分离的控制电极131和132可以允许根据不对称设计来设计单元14。例如，第一控制电极131和第二控制电极132中的一个与另一个控制电极相比可以沿着垂直方向Z延伸得更远。例如，因此，与第二台面102相比，第一台面101可以展现沿着垂直方向Z的不同的总延伸，例如更短的总延伸（参见图8A）。例如，与另一个控制电极相比被布置得更深的控制电极可以具有沿着第一横向方向X的更大的总延伸。例如，如果存在，则阻挡子区域1052仅与比另一个布置得更深的控制电极横向重叠。用于第一控制电极131和第二控制电极132（例如具有不同的空间配置）的沟槽17的制造可以包括一个或多个干法蚀刻工艺（例如RIE——反应离子蚀刻），其中在垂直方向Z上的蚀刻速度可以取决于限定沟槽17的宽度的掩模的开口。因而，不同宽的开口可以导致不同深蚀刻的沟槽，其中更大的掩模开口导致更深的沟槽，如在图8B-C中示出的那样。根据在图11A-B中示意性地并且示例性地图示的实施例，沟槽结构17还可以包括源极电极1150，所述源极电极1150与控制电极结构13（例如与第一控制电极131和第二控制电极132二者）电绝缘并且借助于另一接触插塞115电连接到第一负载端子结构11。如在图11A中图示的，另一插塞115可以形成源极电极1150的一部分。例如，源极电极1150被实现为沟槽电极。例如，它可以被布置在第一控制电极131和第二控制电极132之间。在实施例中，源极电极1150与引导区域1023横向重叠，其中绝缘结构133可以在其中存在这样的重叠的区中展现至少50nm的最小厚度dZZ。例如，源极电极1150和沟槽底部175之间的距离大于第一控制电极131和沟槽底部175之间的距离。在实施例中，源极电极1150在第一横向方向X上沿着其整个延伸与引导区域1023横向重叠。如果存在，则源极电极1150还可以在第一横向方向X上沿着其整个延伸与阻挡区域105横向重叠，或者如果存在，则在第一横向方向X上与阻挡子区域1052横向重叠。在实施例中，如在图11B中图示的，沟槽电极结构可以被横向图案化以便获得第一控制电极131、控制电极132（二者具有如以上描述的功能性）、以及源极电极1150，所述源极电极1150可以被电连接到第一负载端子结构11（参见接触插塞115）。例如，绝缘结构133可以展现在源极电极1150和沟槽底部175之间的最小厚度dZZ，其为绝缘结构133在第一横向方向上在第一台面101（或第二台面102）与第一控制电极131（或第二控制电极132）中的一个之间的厚度的至少两倍、或者三倍或者四倍，例如为以上提及的第一厚度的至少两倍。在又另一实施例中，电极1150不被电连接到第一负载端子结构11，而是被电连接到另一电位，或者相应地，电极1150是电浮置的。根据实施例，每个单元14可以包括多于一个第一台面101和或多于一个第二台面102。例如，参考图12，包括在每个单元14中的第二台面102的数目可以大于第一台面101的数目。例如，每个单元14仅包括一个第一台面101和两个或更多第二台面102。例如，在这样的情况下，引导区域1023沿着第一横向方向X与第二台面102中的每一个横向重叠，如在图11中图示的那样。此外，如果存在，则阻挡区域105可以例如在每个沟槽底部175以下包括多于一个阻挡子区域1052。例如，在阻挡子区域1052与第一和第二台面101、102之间没有形成横向重叠。例如，可以依据希望的开关行为来选择第一台面101的数目和第二台面102的数目之间的比例。例如，如果希望较快的关断操作，则可以增加第二台面102的数目。为了控制第二台面102，可以在沟槽结构17内提供分离的第二控制电极132。然而，应注意的是，如以上所解释的，第二控制电极132不需要必须与第一控制电极131电绝缘。图12中的示例示出了附加第二台面102，其从一侧由第一控制电极131控制并且从另一侧由第二控制电极132控制。（在控制电极131和132被不同地配置和或设有不同的控制信号的情况下）附加第二台面102可以展现另一控制特性，因为第二台面102其排他地借助于两个第二控制电极132来控制（在每一侧一个）。然而，如由虚线所指示的，在附加第二台面102的左侧的（共同）控制电极131可以被分离成用于控制第一台面101的第一控制电极131和用于以与第二台面102相同的方式来控制附加第二台面102的第二控制电极132。所述控制电极分离可以至少通过提供虚设台面来实现，如将关于图13-14更详细地解释的那样。但是，如以上所解释的，与控制电极131、132的最终空间分离无关，功率半导体器件的操作然而可以借助于被提供给控制电极结构13的单个控制信号来控制。例如，第二控制电极132可以借助于限定的欧姆电阻而电连接到第一控制电极131，或者相应地耦合到第一控制电极131。根据实施例，每个单元14可以例如在第一单元部分141和第二单元部分142之间包括第三单元部分143，如在图13中图示的那样。例如，第三单元部分143包括第三台面103。第三台面103在横向上可以由沟槽结构17的第三沟槽侧壁173限制。第三台面103可以例如展现与第一台面101或者与第二台面102相同的空间尺寸。例如，第三台面103是虚设台面，即被配置成不传导负载电流或其一部分的台面。为此，第三台面103例如不被电连接到第一负载端子结构11。如所示出的，不提供将在第三台面103和第一负载端子结构11之间建立电连接的接触插塞。附加地或替选地，第三台面103和第一负载端子结构11之间的过渡可以被配置成不提供用于负载电流部分的导电路径；例如相反，第三台面103和第一负载端子结构11之间的过渡可以被配置成提供电隔离。例如，第三台面103用第一或第二导电类型的半导体材料完全填充。如果存在，则阻挡区域105可以延伸到第三台面103中，如在图13中图示的那样。作为虚设台面，不需要控制第三台面103。然而，例如出于统一的工艺的原因和或出于对称原因，控制电极结构13也可以延伸到第三台面103的邻近中，例如借助于一个或多个附加第三电极134、134’（如由点线所指示的）或者通过相应第一（共同）控制电极131的区段。因此，例如，每个单元14可以包括两个第一控制电极131，其中这些中的一个与第一台面101和第三台面103二者相关联，并且另一个与第二台面102和第三台面103二者相关联。第三电极134、134’替换地可以被电连接到第一控制电极131中的一个或多个、第二控制电极132或者第一负载端子结构11。附加地或替选地，可以采用第三台面103来将控制电极结构13例如分离成第一控制电极131和第二控制电极132，还将关于图14来更详细地解释这一点。例如，引导区域1023还沿着第一横向方向X与第三台面103横向重叠，例如以便接近第一台面101而不与其横向重叠，如以上所解释的那样。关于可以可选地被提供的多个阻挡子区域1052，参考以上的解释，所述解释可以类似地适用于图13中图示的实施例。例如，可以依据器件1的希望的电容行为来选择每个单元中的第一台面101的数目、第二台面102的数目以及第三台面103的数目之间的比例。使单元14中的每一个或一些装配有第三台面103可以允许调整器件的电容，例如第一控制电极131、第二控制电极132和第三电极134、134’关于第一负载端子结构11和第二负载端子结构12之间的电容或电容的比例。关于图14，将阐明单元14的另一示例性实施例。如所图示的，单元14可以包括两个第一单元部分141和两个第二单元部分142，其中两个第一单元部分141和两个第二单元部分142可以通过一个（或多个）第三单元部分143而彼此分离。单元部分141、142和143可以按如已经与关于上述绘图示例性地解释的方式来配置。在这个实施例中，两对第一台面101和第二台面102借助于相应第一（共同）控制电极131来控制。具有第三（虚设）台面103的中央第三单元部分143使中央第一台面101和中央第二台面102彼此分离。例如，每个单元部分141、142和143展现在第一横向方向X上的相同的总延伸。根据实施例，沿着第一横向方向X在第一台面101和第二台面102之间的距离大于第一台面101和第三台面103之间的距离。例如，沿着第一横向方向在第一台面101和第二台面102之间的距离总计为第一台面101和第三台面103之间的距离的两倍。类似地，沿着第一横向方向X在第一台面101和第二台面102之间的距离也可以总计为第二台面102和第三台面103之间的距离的至少两倍。第一台面101、第二台面102和第三台面103的在第一横向方向X上的横向宽度可以基本上相等，例如通过使用相同的工艺技术。然而，例如，第三台面103当被实现为虚设台面时可以具有与第一台面101和或第二台面102相比不同（例如更大或更小）的宽度。根据实施例，第三台面103的横向宽度可以例如是第一台面101或第二台面102的十倍或更多倍。如果存在多个第一和或第二和或第三单元部分141、142、143，则每个单元14也可以因此包括多个引导区域1023，如在图14中图示的那样。尽管阻挡区域105可以是由有源单元场16的多个单元14，或者相应地由有源单元场16的所有单元14共享的连续区域，但是不同引导区域1023可以彼此分离。在另一实施例中，例如可能的是，不同引导区域1023在半导体主体10中的某个地方，例如在边缘终止区域18内合并在一起。使相邻引导区域1023彼此分离的半导体区段可以与第一台面101横向重叠并且可以由漂移区100的区段和阻挡区域105的区段中的至少一个填充，如以上已经更详细地阐明的那样。此外，如果存在多个第一和或第二和或第三单元部分141、142、143，并且如果因此每个单元14包括两个或更多第一台面101，则可以可能的是，使第一台面101中的第一个与第一控制电极131相关联并且使第一台面101中的第二个与第二控制电极132相关联。该可选方面产生与多个第一台面101的第二部分不同地控制多个第一台面101的第一部分的可能性。例如，因此可以采用包括第三台面103的第三单元部分143来分离控制电极结构13。在另一实施例中，可能合意的是，借助于电连接到彼此的控制电极，例如仅仅借助于第一控制电极131来控制所有第一台面101，如在图14中所图示的那样。根据本文中描述的所有实施例，第二沟道区1022中的积聚沟道的截止电压可以大于第一沟道区1012中的导电沟道的截止电压。例如，截止电压中的差异可以总计为至少0.2V。在实施例中，导电沟道的截止电压小于0.8V，并且积聚沟道的截止电压大于1.0V。一般而言，截止电压中的差异可以允许实现对器件1的更灵活控制，例如对第二沟道区1022的更灵活控制，例如在半导体器件1的导通状态期间，例如以防止第二导电类型的电荷载流子在导通状态期间经由第二单元部分142的第二台面102离开半导体主体10的方式和或以允许在将半导体器件1切换到阻断状态之前不久使第二导电类型的电荷载流子经由第二单元部分142的第二台面102从半导体主体10中排出的方式。在下文中，将更详细地解释实现截止电压之间的这样的差异的一些示例性方式。在实施例中，如在先前绘图中示例性地图示的，例如在图3A、3B、5A、8A-D、11、13和17中示例性地图示的，半导体器件1可以包括第一控制电极131和第二控制电极132，所述第一控制电极131被配置成在第一沟道区1012内诱导导电沟道，其中绝缘结构133可以使第一控制电极131与第一台面101绝缘。第二控制电极132可以被配置成诱导所述积聚沟道，其中绝缘结构133还可以使第二控制电极132与第二台面102绝缘。第一控制电极131和第二控制电极132可以彼此分离地布置，如在前面提及的绘图中图示的那样。例如，第一控制电极131的材料可以不同于第二控制电极132的材料以便实现截止电压之间的所述差异，或者相应地，对所述差异有贡献。为此，第一控制电极131可以展现不同于第二控制电极132的功函数的功函数。功函数之间的所述差异可以总计为例如至少0.4eV。例如，第二控制电极132展现小于4.5eV的功函数，并且第一控制电极131可以展现大于例如4.9eV的功函数。例如，为了实现功函数之间的差异，在实施例中，第一控制电极131包括具有第二导电类型的掺杂剂的多晶半导体材料、金属硅化物（像例如PtSi2或MoSi2）、金属氮化物（像例如WNx或TiN）、镍、钯、铱、铂和金中的至少一种；并且第二控制电极132包括具有第一导电类型的掺杂剂的多晶半导体材料、金属硅化物（像例如TiSi2、TaSi2或NbSi2）、金属氮化物（像例如TaN或TiN）、铝、钛、镁、钪、钇、铷、硒和锶中的至少一种。可以通过在到栅极电介质的过渡区域处的表面处理来适配作为栅极电极的TiN的功函数，这可以使其对于第一和第二控制电极131、132二者都有用。尽管两个控制电极131和132可以分离地布置并且可以设有不同的功函数，但是应理解的是，根据一个或多个实施例，两个控制电极131和132可以电连接到彼此并且因而接收相同的控制信号。例如，与在一些绘图中（例如图3A、3B、5A和6中）的示意性图示的建议形成对比，应理解的是两个控制电极131和132不需要必须彼此电绝缘。在另一实施例中，作为向两个分离的控制电极131和132提供不同的功函数的补充或替代，还可以通过向第一控制电极131提供大于第一沟道区1012的功函数的功函数来引起或者相应地实现截止电压之间的差异。此外，附加地或者作为替换方案，第二控制电极132可以设有小于第二沟道区1022的功函数的功函数。第一沟道区1012和第二沟道区1022中的每一个可以包括具有第二导电类型的掺杂剂的单晶半导体材料和氮化钛（TiN）中的至少一个。例如，第一沟道区1012和第二沟道区1022中的每一个可以展现在4.6eV到5.0eV的范围内的功函数。在又另一实施例中，还可以通过向第一沟道区1012和第二沟道区1022中的每一个提供第二导电类型的掺杂剂来引起截止电压之间的差异，其中第一沟道区1012的掺杂剂浓度可以是第二沟道区1022的掺杂剂浓度的至多二分之一、是其三分之一或者五分之一。例如，在具有沟道区1012和1022中的不同掺杂剂浓度的这个实施例中，使第一控制电极131与第一沟道区1012绝缘的绝缘结构133的例如在第一横向方向X上的有效厚度（参见例如图5A中的DX12、DX14）可以与使第二控制电极132与第二沟道区1022绝缘的绝缘结构133的例如在第一横向方向X上的有效厚度（参见例如图5A中的DX22、DX24）相同。此外，在这个实施例中，第一控制电极131和第二控制电极132在材料方面和或在空间尺寸方面可以相同，或者相应地，第一台面101和第二台面102可以由共同控制电极来控制。根据又另一示例，也可以通过如下来引起截止电压之间的差异：提供绝缘结构133使得使第一控制电极131与第一沟道区1012绝缘的绝缘结构133的例如在第一横向方向X上的有效厚度（参见例如图5A中的DX12、DX14）是使第二控制电极132与第二沟道区1022绝缘的绝缘结构133的例如在第一横向方向X上的有效厚度（参见例如图5A中的DX22、DX24）的至少20%、或者至少30%或者至少50%。因而，所述厚度的变化可以相应地使导电沟道和积聚沟道的相应截止电压变化。在本文中，“有效厚度”的比较可以意指：用于使第一控制电极131与第一沟道区1012绝缘的绝缘结构133的电介质的介电常数与其厚度相乘的乘积与用于使第二控制电极132与第二沟道区1022绝缘的绝缘结构133的电介质的介电常数与其厚度相乘的乘积相比较。在所述电介质由相同材料（例如二氧化硅）制成的情况下，这简化到相应厚度的比较。在例如用于使第一控制电极131与第一沟道区1012绝缘的绝缘结构133的电介质具有较高介电常数的情况下，厚度相比于用于使第二控制电极132与第二沟道区1022绝缘的厚度可以甚至相同或者甚至更大。根据又另一示例，可以通过以下来实现截止电压之间的差异：通过提供绝缘结构133的界面电荷的不同密度，使得例如使第一控制电极131与第一沟道区1012绝缘的绝缘结构133的界面电荷可以比例如使第二控制电极132与第二沟道区1022绝缘的绝缘结构133的界面电荷更正性，是后者的至少1.2倍、或者至少1.3倍、或者至少1.5倍。可以例如通过用于第一沟道区1012和第二沟道区1022处的两个绝缘结构133的不同材料来达到不同的界面电荷，例如将氮化硅或氮氧化硅（nitridesiliconoxide）用作第一沟道区1012处的电介质，以及将二氧化硅用作第二沟道区1022处的电介质。应理解的是，根据一个或多个实施例，第一台面101和第二台面102可以由单个控制信号来控制。为此，可以提供所述两个分离地布置的控制电极131和132，如在一些绘图中示例性地图示的，并且所述两个分离地布置的控制电极131和132可以电连接到彼此。根据另一实施例，如绘图中的一些示例性地图示的，第一台面101和第二台面102中的每一个可以由共同控制电极来控制，并且所述共同控制电极在上面还被称为第一控制电极131，其例如可以被单片集成在沟槽结构17内。因而，应理解的是，所述截止电压中的差异不一定需要至少两个分离的控制电极来控制第一台面101和第二台面102。此外，如在图9中示例性地图示的，应理解的是，绝缘结构133不需要必须沿着在第一台面101和第二台面102之间的整个距离（参见图5A中的DX30）在垂直方向Z上延伸得至少与第一控制电极131一样远，而是可以例如沿着第一台面101和第二台面102之间的距离的至少80%在垂直方向Z上延伸得更小，例如在与第一端口区1011在垂直方向Z上的总延伸（参见例如图5A中的DZ13）或者相应地第二端口区1021在垂直方向Z上的总延伸（参见例如图5A中的DZ23）相同的范围内。例如，如果被实现为共同控制电极，则第一控制电极131可以展现U形垂直横截面。在另一实施例中，如在图10中示意性地并且示例性地图示的，第一控制电极131可以被实现为例如沿着第一台面101和第二台面102之间的距离的至少80%展现在垂直方向Z上的基本上恒定的总延伸的块。在德国专利申请DE102016112017.0中描述了操作这样的功率半导体器件（其提供具有不同的截止电压的反型沟道和积聚沟道）的示例性方法，其相关内容以其整体被并入在本文中。本文中呈现的还是一种处理功率半导体器件的方法。根据一些实施例，要被处理的功率半导体器件具有要耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成传导负载电流并且包括第一导电类型的漂移区，其中所述功率半导体器件包括多个单元。每个单元包括：包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区；包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；沟槽结构，其包括用于至少借助于第一沟道区中的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构。所述方法包括以下各项中的至少一个：a提供第一台面，其具有在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上的小于100nm的总延伸；以及提供第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下同时沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；b提供被布置在第二沟道区以下的第二导电类型的引导区域，其中所述引导区域与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；以及提供被布置在引导区域和沟槽结构之间的第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。以上描述的方法还可以包括：在提供引导区域之前或之后，至少部分地对半导体主体进行预处理和或后处理使得它展现以上解释的配置。方法的示例性实施例对应于关于绘图描述的功率半导体器件的示例性实施例。因而，参考上文。根据方法的实施例，如在图16中图示的，可以在提供引导区域1023的范围内采用间隔器元件21。例如，提供引导区域1023可以包括一个或多个注入处理步骤，例如，由如在图16中示出的第一引导子区域1023a和第二引导子区域1023b所描绘的那样。提供阻挡区域105也可以包括一个或多个注入处理步骤。例如，在已经提供了第一引导子区域1023a之后并且例如在提供阻挡区域105之前，移除间隔器元件21。第一台面101和第一引导子区域1023a之间的横向距离DF1可以由间隔器元件21的在第一台面101的侧壁处的横向厚度DS来提供，所述侧壁局部掩蔽在第一台面101的位置处的离子注入步骤。由于注入的离子的横向离散，横向距离DF1小于间隔器元件21的横向厚度DS。因此，可以提供第二台面102和第一引导子区域1023a之间的横向距离DF2。注入的离子的能量可以以使得它们克服间隔器元件21的水平部分的垂直厚度DV1从而到达半导体主体10的方式来配置。然而，注入的离子的能量可能太低而无法克服间隔器元件21的在第一台面101和第二台面102处的较大垂直厚度DV2，从而导致在第一台面101和第二台面102的位置处的离子注入的很大程度的阻断。例如，此后，绝缘结构133和控制电极结构13与沟槽结构17一起形成。可以通过使用例如离子注入步骤结合利用光刻掩模的常规图案化来在工艺中较早或较晚地提供第二引导子区域1023b。在第二导电类型的掺杂剂是受主的情况下，可以例如以不同能量注入硼或BF2离子来实现第一引导子区域1023a和第二引导子区域1023b。例如，可以根据如以上详细描述的自对准处理步骤来实施提供引导区域1023和或阻挡区域105（可选地包括其一个或多个阻挡子区域1052）。在从属权利要求中限定了另外的实施例的特征。另外的实施例的特征和以上描述的实施例的特征可以彼此组合以用于形成附加的实施例，只要所述特征没有明确地被描述为作为彼此的替代。在上文中，解释了涉及功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法的实施例。例如，这些实施例基于硅（Si）。因此，示例性实施例的单晶半导体区区域区段层可以是单晶Si区或Si层。在其他实施例中，可以采用多晶硅或非晶硅。然而，应该理解的是，半导体区区域区段层可以由适合用于制造半导体器件的任何半导体材料制成。这样的材料的示例包括但不限于以下各项：元素半导体材料，诸如硅（Si）或锗（Ge）；IV族化合物半导体材料，诸如碳化硅（SiC）或硅锗（SiGe）；二元、三元或四元III-V半导体材料，诸如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）、磷化铟镓（InGaPa）、氮化铝镓（AlGaN）、氮化铝铟（AlInN）、氮化铟镓（InGaN）、氮化铝镓铟（AlGaInN）或磷砷化镓铟（InGaAsP）；以及二元或三元II-VI半导体材料，仅举几例诸如碲化镉（CdTe）以及碲镉汞（HgCdTe）。先前提及的半导体材料也被称为“同质结半导体材料”。当组合两种不同的半导体材料时，形成异质结半导体材料。异质结半导体材料的示例包括但不限于以下各项：氮化铝镓（AlGaN）-氮化铝镓铟（AlGaInN），氮化铟镓（InGaN）-氮化铝镓铟（AlGaInN），氮化铟镓（InGaN）-氮化镓（GaN）、氮化铝镓（AlGaN）-氮化镓（GaN），氮化铟镓（InGaN）-氮化铝镓（AlGaN），硅-碳化硅（SixC1-x）以及硅-SiGe异质结半导体材料。对于功率半导体器件应用，当前主要是Si、SiC、GaAs和GaN材料被使用。为了易于描述而使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等来解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语意图包含除了与图中描绘的那些不同的定向之外的相应器件的不同定向。此外，诸如“第一”、“第二”等等之类的术语还用于描述各种元件、区、区段等，并且也不意图是限制性的。贯穿本描述，同样的术语指代同样的元件。如在本文中所使用的，术语“具有”、“含有”、“包含”、“包括”、“展现”等等是开放式术语，其指示所陈述的元件或特征的存在，但是不排除附加的元件或特征。考虑到变化和应用的以上范围，应该理解的是，本发明不由前述描述限制，它也不由附图限制。代替地，本发明仅由所附权利要求及其法律等同物限制。

权利要求：1.一种功率半导体器件，其具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的漂移区并且被配置成在功率半导体器件的导通状态期间传导负载电流以及在功率半导体器件的阻断状态期间阻断负载电流，其中所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元包括：-包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区，其中所述第一台面在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上展现小于100nm的总延伸；-包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；-沟槽结构，其包括被配置成控制负载电流的控制电极结构；-其中，第一单元部分被配置成在导通状态中使第一沟道区完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子，-其中，第一单元部分被配置成在导通状态中在第一沟道区中诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，并且在阻断状态中不诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，-第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下并且沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域被布置在所述引导区域和所述沟槽结构之间。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。4.一种功率半导体器件，其具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成传导负载电流并且包括第一导电类型的漂移区，其中所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元包括：-包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区；-包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；-沟槽结构，其包括用于至少借助于第一沟道区中的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构；-第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；-被布置在所述引导区域和所述沟槽结构之间的第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中所述引导区域沿着第一台面内的负载电流部分的垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，并且其中所述第一台面在垂直于垂直方向的横向方向上展现小于100nm的总延伸。6.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中所述引导区域展现至少1015cm-3的掺杂剂浓度，并且其中所述引导区域至少借助于漂移区而与第二负载端子结构分离。7.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中所述控制电极结构包括被配置成控制第一沟道区中的导电沟道和第二沟道区中的积聚沟道二者的第一控制电极，并且其中所述引导区域沿着横向方向与第一控制电极横向重叠达第一控制电极的总横向延伸的至少60%。8.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中所述沟槽结构包括与第一台面接合的第一沟槽侧壁、与第二台面接合的第二沟槽侧壁、以及在第一沟槽侧壁和第二沟槽侧壁之间的沟槽底部，并且其中所述沟槽底部与所述阻挡区域接合。9.根据权利要求8所述的功率半导体器件，还包括使沟槽结构内的控制电极结构隔离的绝缘结构，并且其中所述绝缘结构的在第一沟槽侧壁和控制电极结构之间的沿着横向方向的第一厚度小于所述绝缘结构的在沟槽底部和控制电极结构之间的沿着垂直方向的第二厚度的一半。10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其中在沟槽结构的过渡子区内，沟槽底部和第一沟槽侧壁彼此合并并且绝缘结构的厚度从第一厚度增加到第二厚度。11.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中阻挡区域包括与沟槽底部接触的阻挡子区域，其中所述阻挡子区域的掺杂剂浓度至少与漂移区的掺杂剂浓度一样大。12.根据权利要求11所述的功率半导体器件，其中所述阻挡子区域在过渡子区内接触沟槽底部。13.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中第一台面具有台面开口，所述台面开口具有为第一台面在横向方向上的总延伸的至少两倍的宽度。14.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中随着所述引导区域朝向第一台面横向延伸，所述引导区域的厚度减小到至多二分之一倍，并且其中随着所述引导区域朝向第一台面横向延伸，所述沟槽结构和所述引导区域之间的距离保持基本上恒定。15.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其中所述引导区域沿着垂直方向的最大厚度总计小于半导体主体沿着垂直方向的总延伸的十分之一。16.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中至少所述阻挡区使第二沟道区和引导区域彼此分离。17.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中第二沟道区和引导区域之间的连接在功率半导体器件的第一操作状态期间展现第一电导率，并且在第二操作状态期间展现第二电导率，所述第二电导率为所述第一电导率的至少十倍。18.根据权利要求17所述的功率半导体器件，其中所述功率半导体器件被配置成使得在从第一操作状态到第二操作状态的过渡期间，所述引导区域的电位从第一负载端子结构的电位偏离至多3V。19.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中在功率半导体器件的阻断状态期间以及在从导通状态到阻断状态的过渡期间，所述引导区域被配置成沿着第一台面和第二台面之间的路径引导与第二沟道区的电位相差至少50mV并且小于2V的电位以及第二导电类型的电荷载流子中的至少一个。20.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中第一沟道区和第二沟道区二者具有第二导电类型。21.一种处理功率半导体器件的方法，所述功率半导体器件具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成传导负载电流并且包括第一导电类型的漂移区，其中所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元包括：包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区；包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；以及沟槽结构，其包括用于至少借助于第一沟道区中的导电沟道来控制负载电流的控制电极结构；其中，所述方法包括：a提供所述第一台面，其具有在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上的小于100nm的总延伸；以及提供第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下同时沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；和或b提供被布置在第二沟道区以下的第二导电类型的引导区域，其中所述引导区域与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠；以及提供被布置在引导区域和沟槽结构之间的第一导电类型的阻挡区域，其中所述阻挡区域的掺杂剂浓度是漂移区的掺杂剂浓度的至少两倍。

百度查询： 英飞凌科技德累斯顿公司 具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT