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摘要：本发明公开了一种非晶InGaZnOInAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件及其制备方法。所述薄膜晶体管器件包括：衬底层、底栅电极层、顶栅电极层、底栅绝缘层、顶栅绝缘层、InAlSnO有源层、InGaZnO有源层、源电极层、漏电极层和钝化层。本发明通过形成较大的InAlSnOInGaZnO异质结能带带阶的复合沟道结构，有效地抑制载流子捕获效应，增强TFT器件的电学可靠性。
主权项：1.一种非晶InGaZnOInAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：衬底层、底栅电极层、顶栅电极层、底栅绝缘层、顶栅绝缘层、InAlSnO有源层、InGaZnO有源层、源电极层、漏电极层和钝化层；所述底栅电极层覆盖在衬底层上表面的中心位置；所述底栅绝缘层位于底栅电极层的上侧，并完全覆盖衬底层和底栅电极层的上表面；所述InAlSnO有源层位于底栅绝缘层上侧中间位置并形成图案化；所述InGaZnO有源层位于形成图案化的InAlSnO有源层的上表面；在所述InGaZnO有源层上表面的分别形成所述源电极层和所述漏电极层，并形成图案化；所述顶栅绝缘层设于InGaZnO有源层和底栅绝缘层的上表面区域；所述顶栅电极层位于与所述的顶栅绝缘层对准的中心部分区域并形成图案化；所述钝化层分别位于所述顶栅绝缘层、源电极层、漏电极层以及顶栅电极层的上表面，且所述钝化层并未完全覆盖源电极层和漏电极层；并将顶栅电极层对准以外的InAlSnO、InGaZnO有源层区域进行导体化处理。
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百度查询： 南京邮电大学 非晶InGaZnO/InAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件及其制备方法
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