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磁性隧道结及磁性存储单元 

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摘要:本发明提供一种磁性隧道结及磁性存储单元,包括:参考层、势垒层、自由层和氧化物覆盖层,自由层包括磁性记录层以及沿着磁性记录层远离势垒层的方向依次层叠的一个或多个复合层结构,复合层结构包括氧化物传导层和界面能增强层,其中距离磁性记录层最近的一个氧化物传导层与磁性记录层相邻,氧化物传导层与界面能增强层之间的界面用于提高整个自由层的界面垂直磁各向异性能密度。本发明能够提高小尺寸磁性隧道结的数据保持时间。

主权项:1.一种磁性隧道结,其特征在于,包括:参考层;势垒层;自由层,所述自由层包括磁性记录层,所述磁性记录层位于所述势垒层远离所述参考层的一侧表面,所述磁性记录层的磁化方向与所述参考层的磁化方向相同或相反,用于实现数据存储;所述自由层还包括沿着所述磁性记录层远离所述势垒层的方向依次层叠的一个或多个复合层结构,所述复合层结构包括氧化物传导层和界面能增强层,其中距离所述磁性记录层最近的一个氧化物传导层与所述磁性记录层相邻,所述氧化物传导层与所述界面能增强层之间的界面用于提高整个所述自由层的界面垂直磁各向异性能密度;以及,氧化物覆盖层,与距离所述磁性记录层最远的一个界面能增强层相邻。

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