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申请/专利权人：无锡市晶源微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型半导体器件及其制备方法，包括：硅衬底；形成在硅衬底内的N型阱层，以及形成在N型阱层表面且朝向N型阱层内部延伸的N+层；形成在硅衬底表面上的硅氧化层，以及形成在硅氧化层表面上的多晶硅层；其中，N型阱层包括沿第一水平方向分布的第一N型阱区、第二N型阱区以及位于第一N型阱区以及第二N型阱区之间的导电沟道结构，导电沟道结构包括第三N型阱区以及与第三N型阱区接触的耗尽调整结构，耗尽调整结构能够对第三N型阱区进行耗尽并调整第三N型阱区的耗尽速度。本发明提供的耗尽型半导体器件比常规耗尽器件有更大的导通电流，并且能够在不调整工艺的情况下调整夹断电压，应用更加灵活。
主权项：1.一种耗尽型半导体器件，其特征在于，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底内的N型阱层，以及形成在所述N型阱层表面且朝向所述N型阱层内部延伸的N+层；形成在所述硅衬底表面上的硅氧化层，以及形成在所述硅氧化层表面上的多晶硅层，所述硅氧化层与所述N+层不重叠；其中，所述N型阱层包括沿第一水平方向分布的第一N型阱区、第二N型阱区以及位于所述第一N型阱区以及所述第二N型阱区之间的导电沟道结构，所述导电沟道结构包括第三N型阱区以及与所述第三N型阱区接触的耗尽调整结构，所述耗尽调整结构能够对所述第三N型阱区进行耗尽并调整所述第三N型阱区的耗尽速度；所述第一N型阱区、位于所述第一N型阱区同侧的一部分所述硅氧化层与位于所述第一N型阱区同侧的一部分所述N+层形成为所述耗尽型半导体器件的漏区，所述第二N型阱区以及位于所述第二N型阱区同侧的另一部分所述N+层形成为所述耗尽型半导体器件的源区，位于所述导电沟道结构上的部分所述硅氧化层与所述多晶硅层形成为所述耗尽型半导体器件的栅区。
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权利要求：
百度查询： 无锡市晶源微电子股份有限公司 耗尽型半导体器件及其制备方法
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