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摘要：一种半导体装置包括：有源图案，其在第一方向上在衬底上延伸；第一沟道结构至第四沟道结构，其在有源图案的一个区上按次序堆叠；第一栅极结构至第四栅极结构，其分别跨过第一沟道结构至第四沟道结构，并且在第二方向上延伸；第一源极漏极图案至第四源极漏极图案，其分别连接至第一沟道结构至第四沟道结构的两端；多个上接触穿通件，其将多条上布线中的每一条电连接至第一源极漏极图案至第四源极漏极图案中的至少一个；多条下布线，其设置在衬底的下表面上；以及多个下接触穿通件，其穿过衬底并且将所述多条下布线中的每一条电连接至第一源极漏极图案至第四源极漏极图案中的至少一个。
主权项：1.一种半导体装置，包括：有源图案，其在衬底上在第一方向上延伸；第一沟道结构至第四沟道结构，所述第一沟道结构至所述第四沟道结构在所述有源图案的一个区上按次序堆叠，所述第一沟道结构至所述第四沟道结构包括对应的第一半导体图案至第四半导体图案，所述第一半导体图案至所述第四半导体图案在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上堆叠并彼此间隔开；第一栅极结构，其跨过所述有源图案的所述一个区，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且围绕所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；第二栅极结构，其在所述第二方向上在所述第一栅极结构上延伸，并且围绕所述第三半导体图案和所述第四半导体图案；一对第一源极漏极图案，其在所述第一栅极结构的相对两侧上连接至所述第一半导体图案的相应端部；一对第二源极漏极图案，其在所述第一栅极结构的相对两侧上连接至所述第二半导体图案的相应端部；一对第三源极漏极图案，其在所述第二栅极结构的相对两侧上连接至所述第三半导体图案的相应端部；一对第四源极漏极图案，其在所述第二栅极结构的相对两侧上连接至所述第四半导体图案的相应端部；层间绝缘层，其覆盖多个所述第一源极漏极图案至所述第四源极漏极图案；以及多条上布线，其包括通过所述层间绝缘层电连接至所述第一源极漏极图案至所述第四源极漏极图案中的至少一个的至少一条上布线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 利用多桥沟道场效应晶体管的高性能半导体装置
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