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摘要：本发明公开一种晶体管及其制造方法。所述晶体管包括基底、集极、基极、射极以及扩散障碍层。所述集极设置于所述基底上。所述基极设置于所述集极上。所述射极设置于所述基极上。所述扩散障碍层设置于所述基极与所述射极之间。所述基极的上部包括掺杂层，且所述扩散障碍层设置于所述掺杂层上。所述射极、所述掺杂层与所述集极为第一导电型，且所述基极的其余部分为第二导电型。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：基底；集极，设置于所述基底上；基极，设置于所述集极上；射极，设置于所述基极上；以及扩散障碍层，设置于所述基极与所述射极之间；其中所述基极的上部包括掺杂层，所述扩散障碍层设置于所述掺杂层上，且其中所述射极、所述掺杂层与所述集极为第一导电型，且所述基极的其余部分为第二导电型,其中所述基极包括：硅锗层，设置于所述集极上；以及经掺杂的碳化硅锗层，设置于所述硅锗层上；以及所述掺杂层，设置于所述经掺杂的碳化硅锗层上。
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百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 晶体管及其制造方法
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