龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极，并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极，并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。
主权项：1.一种用于制造微电子器件的方法，所述微电子器件包括PNP晶体管和NPN晶体管，所述方法包括：在P型掺杂的半导体衬底中形成所述PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在所述N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在所述半导体衬底上外延生长第一外延半导体层；在外延生长所述第一外延半导体层之后，形成所述NPN晶体管的N+掺杂阱，所述N+掺杂阱至少部分地延伸到所述第一外延半导体层中；在形成所述N+掺杂阱之后，在所述第一外延半导体层和所述N+掺杂阱两者上并且与所述第一外延半导体层和所述N+掺杂阱两者接触地外延生长第二外延半导体层；在所述第二外延半导体层中形成P掺杂区，所述P掺杂区被配置为形成所述PNP晶体管的集电极，其中所述P掺杂区与所述N+掺杂隔离阱中的所述P+掺杂区电接触；形成所述PNP晶体管的基极，所述PNP晶体管的基极与形成所述PNP晶体管的集电极的所述P掺杂区接触；在所述第二外延半导体层中形成N掺杂区，所述N掺杂区被配置为形成所述NPN晶体管的集电极，其中所述N掺杂区与所述N+掺杂阱电接触；以及形成所述NPN晶体管的基极，所述NPN晶体管的基极与形成所述NPN晶体管的集电极的所述N掺杂区接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号