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摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的绝缘栅双极型晶体管，包括集电极金属层以及依次设置于集电极金属层上的P型集电层、N型缓冲层和N型耐压层，N型耐压层的上表面形成多个沟槽，沟槽内设置复合结构，复合结构包括设置于沟槽内的第一多晶硅结构和第二多晶硅结构，第二多晶硅结构嵌设在第一多晶硅的上表面，相邻的沟槽之间沿层级方向依次设置N型载流子存储层、第一P型基层以及N型有源层，N型有源层和第一多晶硅结构连接发射极金属，第二多晶硅结构连接栅极金属。本申请提供的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，能够改善导通压降和饱和电流的折中曲线以及导通压降和开关损耗的折中曲线。
主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括集电极金属层以及依次设置于所述集电极金属层上的P型集电层、N型缓冲层和N型耐压层，所述N型耐压层的上表面形成多个沟槽，所述沟槽内设置复合结构，所述复合结构包括设置于所述沟槽内的第一多晶硅结构，所述第一多晶硅结构表面形多个凹槽，所述凹槽的内壁设置有绝缘介质层，所述绝缘介质层内设置第二多晶硅结构，所述第二多晶硅结构与所述第一多晶硅结构的上表面平齐，相邻的所述沟槽之间沿层级方向依次设置N型载流子存储层、第一P型基层以及N型有源层，所述N型有源层和所述第一多晶硅结构连接发射极金属，所述第二多晶硅结构连接栅极金属。
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百度查询： 成都森未科技有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
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